在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時(shí)，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時(shí)，晶體管出現(xiàn)一些效應(yīng)。這些效應(yīng)主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時(shí)，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半...當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時(shí)，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半導(dǎo)體中的電子濃度較高，因此會(huì)形成擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，并且P型半導(dǎo)體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)...對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿。發(fā)生擊穿時(shí)的反向電壓稱為pn結(jié)的擊穿電壓。 PN結(jié)的擊穿主要分為三...
當(dāng)摻雜濃度較高時(shí)，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多，離子數(shù)量也更多。這使得在...當(dāng)摻雜濃度較高時(shí)，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多，離子數(shù)量也更多。這使得在較少的單位長度內(nèi)就能建立起“一定強(qiáng)度的內(nèi)電場”，使得PN結(jié)進(jìn)入動(dòng)態(tài)平衡階段（寬度...
1.開路：如燈絲斷了;燈座、開關(guān)、拉線盒開路;熔絲熔斷或進(jìn)戶線開路等。開路會(huì)造...1.開路：如燈絲斷了;燈座、開關(guān)、拉線盒開路;熔絲熔斷或進(jìn)戶線開路等。開路會(huì)造成用電器無電流通過而無法正常工作。
