導通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創造一個Vgs電壓，不需要去...導通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創造一個Vgs電壓，不需要去關心G、D之間的電壓關系（只要沒有達到擊穿電壓）。另外S極不一定需要接地，只需要滿...
當柵極（G）接高電平時，源極（S）和漏極（D）之間的導電通道被打開，電流可以...當柵極（G）接高電平時，源極（S）和漏極（D）之間的導電通道被打開，電流可以通過；當柵極接低電平時，導電通道被關閉，電流無法通過。因此，通過控制柵極的電平...
當電池極性未接反時，D正偏導通，Q的GS極由電池正極經過F、R1、D回到電池負極得...當電池極性未接反時，D正偏導通，Q的GS極由電池正極經過F、R1、D回到電池負極得到正偏而導通。Q導通后的壓降比D的壓降小得多，所以Q導通后會使D得不到足夠的正向電...
R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個比較器單...
IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅...IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅動器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導致其性能上與MOS管有所差異。注意區...
