金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有...金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共...
于不同場合的遙控設備，發射電路的組成是不同的，如在近距離對家用電器或玩具進...于不同場合的遙控設備，發射電路的組成是不同的，如在近距離對家用電器或玩具進行遙控，發射電路輸出的功率只要10～20mW就夠了，沒有必要有中間放大級及高頻功率放...
三極管自鎖電路是利用三極管放大倍數以及正反饋效應構成的一種電路。在某些需要...三極管自鎖電路是利用三極管放大倍數以及正反饋效應構成的一種電路。在某些需要穩定化輸出的場合，可以采用三極管自鎖電路來保證輸出的恒定。
閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀芯片。閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀芯片。
電路中C1是輸入耦合，C2是輸出耦合，耦合電容的大小及諧振頻率根據電路的信號頻...電路中C1是輸入耦合，C2是輸出耦合，耦合電容的大小及諧振頻率根據電路的信號頻率來選擇，如高頻0.001-0.1UF，音頻1-22UF，當然這只是一參考值，主要根據實際調試...
