SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米...SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米，支持3或5引|腳配置。部分制造商的產(chǎn)品可能存在細(xì)微差異，例如長度可能為4.6毫米、...
KNB2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術(shù)制造，極...KNB2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，開關(guān)速度快，減...
輸入端連接可調(diào)穩(wěn)壓電源，調(diào)整VR1讓電路在約11.5V時(shí)完成電源切換動(dòng)作。為了實(shí)現(xiàn)...輸入端連接可調(diào)穩(wěn)壓電源，調(diào)整VR1讓電路在約11.5V時(shí)完成電源切換動(dòng)作。為了實(shí)現(xiàn)更高效的能源管理，需要采用低導(dǎo)通電阻的PMOS場管。
采用高頻變壓器或電感儲(chǔ)能，通過PWM控制實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。效率高（可達(dá)90%以上...采用高頻變壓器或電感儲(chǔ)能，通過PWM控制實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。效率高（可達(dá)90%以上），但電路復(fù)雜，常用于大功率LED驅(qū)動(dòng)。
KND3080是一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式功率MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80...KND3080是一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式功率MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，提供卓越的開關(guān)性能；極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.3mΩ，最...
