KLM80R240B超結(jié)MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導(dǎo)體器件，通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)...KLM80R240B超結(jié)MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導(dǎo)體器件，通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低內(nèi)阻、高抗浪涌能力和快速開(kāi)關(guān)特性。80r240?漏源擊穿電壓800V，漏極電流1...
無(wú)線充電的基本原理就是常用的開(kāi)關(guān)電源原理，區(qū)別在于沒(méi)有磁介質(zhì)耦合，需要利用...無(wú)線充電的基本原理就是常用的開(kāi)關(guān)電源原理，區(qū)別在于沒(méi)有磁介質(zhì)耦合，需要利用磁共振的方式提高耦合效率，具體方法是在發(fā)送端和接收端線圈串并聯(lián)電容，是發(fā)送線圈...
車載USB充電器是插在汽車的點(diǎn)煙器上工作的 ，點(diǎn)煙器的直流電壓是由汽車上蓄電池...車載USB充電器是插在汽車的點(diǎn)煙器上工作的 ，點(diǎn)煙器的直流電壓是由汽車上蓄電池供應(yīng)的。小轎車、SUV點(diǎn)煙器上的電是壓是DC12V，大型車點(diǎn)煙器上的電是壓是DC24V。因...
KLF60R380B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)制...KLF60R380B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，有效降低導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，低?導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.34Ω，低柵極...
當(dāng)充電過(guò)充時(shí)，鋰電池端電壓超過(guò)4.28V（該值由控制IC設(shè)定），“Cout”腳輸出低...當(dāng)充電過(guò)充時(shí)，鋰電池端電壓超過(guò)4.28V（該值由控制IC設(shè)定），“Cout”腳輸出低電平，使Q2斷開(kāi)，雖二極管D1及Q1導(dǎo)通，但Q2截止及二極管D2反偏，迫使充電停止，防止...
