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KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半導體官方現貨

信息來源：本站　日期：2026-04-28　

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KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半導體官方現貨


在為 MOS 管發熱大、易炸機、供貨不穩發愁？

? 更低發熱：RDS (on) 低至 0.38Ω，導通損耗直降 30%，整機溫升更低、壽命更長

? 更強抗浪涌：100% 雪崩測試，扛得住高壓尖峰與電機沖擊，批量不良接近零

? 更高效率：超低柵極電荷 33nC，開關更快、損耗更低、EMI 更好過

? 更穩供貨：KIA 原廠現貨，交期短、價格穩，告別斷供焦慮

? 零改板替換：全封裝兼容，直接替代進口 / 國產 650V/11A MOSFETKIA65R420—— 高壓功率應用的省心之選！

【簡潔口號風｜Banner / 短標題用】


65R420
1. Description 產品描述



This Power MOSFET is produced using KIA semi`s advanced super-junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency.

本功率MOSFET采用KIA半導體先進的超結技術制造。該先進技術專為降低導通損耗、提供優異的開關性能而優化，可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖沖擊，完美適配開關模式下的AC/DC功率轉換場景，助力實現更高的系統效率。

2. Features 產品特性

  • 導通電阻 RDS(on)=0.38Ω(典型值) @ VGS=10V
  • Low gate charge ( typical 33nC) 超低柵極電荷（典型值33nC）
  • High ruggedness 高抗沖擊 ruggedness 特性
  • Fast switching 高速開關性能
  • 100% avalanche tested 100%全批次雪崩測試
  • Improved dv/dt capability 優異的dv/dt抗干擾能力

3. Pin configuration 引腳配置

本產品采用 TO-220F 封裝形式，引腳功能統一定義如下：

Pin 引腳號 Function 引腳功能
1 Gate 柵極 (G)
2 Drain 漏極 (D)
3 Source 源極 (S)

器件內部集成體二極管，標準N溝道MOSFET電路結構，柵極、漏極、源極對應上述引腳定義。

4. Absolute maximum ratings 絕對最大額定值

(TC= 25 ℃ , unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)

Parameter 參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Units 單位
Drain-source voltage 漏源電壓 VDSS 650 V
Gate-source voltage 柵源電壓 VGSS ±30 V
Drain current continuous 連續漏極電流
TC=25℃
TC=100℃ 		ID 11* A
6.7*
Drain current pulsed 脈沖漏極電流 (note1) IDM 30* A
Avalanche energy 雪崩能量(note1)
Repetitive 重復脈沖
Single pulse 單脈沖(note2) 		EAR 65 mJ
EAS 132
Avalanche current 雪崩電流 IAR 2.1 A
Peak diode recovery dv/dt 二極管峰值恢復dv/dt (note3) dv/dt 5.0 V/ns
Total power dissipation 總功耗
TC=25 ℃
derate above 25 ℃ 25℃以上降額 		PD 35 W
0.3 W/℃
Operating and storage temperature range 工作與存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55~+150 ℃
Maximum lead temperature for soldering purposes, 1/8" from case for 5 seconds 焊接引腳最高溫度（距殼體1/8英寸，5秒） TL 300 ℃

* Drain current limited by maximum junction temperature 漏極電流受最高結溫限制

5. Thermal characteristics 熱特性

Parameter 參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Thermal resistance, Junction-ambient 結-環境熱阻 RthJA 80 ℃/W
Thermal resistance, case-to-sink typ. 殼體-散熱器熱阻（典型值） RthJS - ℃/W
Thermal resistance, Junction-case 結-殼體熱阻 RthJC 3.6 ℃/W

6. Electrical characteristics 電氣特性

(TC=25℃,unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)

Parameter 參數 Symbol 符號 Conditions 測試條件 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位
Off characteristics 關斷特性
Drain-source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 TJ=25℃ BVDSS VGS=0V,ID=250μA 650 - - V
Zero gate voltage drain current 零柵壓漏極電流 IDSS VDS=650V ,VGS=0V - - 1 μA
VDS=650V ,VGS=0V, TC=125℃ - - 10
Gate-body leakage current 柵體漏電流 Forward 正向 IGSS VGS=30V,VDS=0V - - 100 nA
Reverse 反向 VGS=-30V,VDS=0V - - -100
Breakdown voltage temperature coefficient 擊穿電壓溫度系數 △BVDSS/△TJ ID=250μA,referenced to 25℃ - 0.6 - V/℃
On characteristics 導通特性
Gate threshold voltage 柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.5 - 4.5 V
Static drain-source on-resistance 靜態漏源導通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=3.2A - 0.38 0.42 Ω
Forward transconductance 正向跨導 gFS VDS=40V,ID=3.2A (note4) - 16 - S
Dynamic characteristics 動態特性
Input capacitance 輸入電容 Ciss VDS=25V,VGS=0V, f=1MHz - 680 - pF
Output capacitance 輸出電容 Coss - 140 -
Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 Crss - 5 -
Switching characteristics 開關特性
Turn-on delay time 開通延遲時間 td(on) VDD=400V,ID=5.3A, RG=20Ω (note4,5) - 26 - ns
Rise time 上升時間 tr - 60 -
Turn-off delay time 關斷延遲時間 td(off) - 75 -
Fall time 下降時間 tf - 44 -
Total gate charge 總柵極電荷 Qg VDS=480V,ID=11A , VGS=10V (note4,5) - 33 - nC
Gate-source charge 柵源電荷 Qgs - 4 -
Gate-drain charge 柵漏電荷 Qgd - 4.2 -
Drain-source diode characteristics and maximum ratings 漏源體二極管特性與最大額定值
Drain-source diode forward voltage 漏源體二極管正向電壓 VSD VGS=0V,ISD=11A - - 1.5 V
Continuous drain-source current 連續漏源電流 IS - - - 4.9 A
Pulsed drain-source current 脈沖漏源電流 ISM - - 30 A
Reverse recovery time 反向恢復時間 trr VGS=0V,ISD=4.9A dlSD/dt=100A/μs (note4) - 270 - ns
Reverse recovery charge 反向恢復電荷 Qrr - 3.3 - μC

Note 備注:
1. IAS=2.1A, L=60mH,VDD=150V , RG=25Ω, staring TJ=25℃
3. ISD≤10A,di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, staring TJ=25 ℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2% 脈沖測試：脈沖寬度≤300us，占空比≤2%
5. Essentially independent of operating temperature typical characteristics. 典型特性與工作溫度基本無關


一、同規格競品品名（650V / 11A 級，可直接替代 KIA65R420）

1）國產競品（直接 pin-to-pin 替換）

飛虹：FHF65R420A、FHP65R420

東微：OSG65R380FF、OSG65R420

瑞森：RS652380F（TO-220F，11A/650V，RDS≈0.38Ω）

微碧：VBM16R11S、VBL165R20S

龍騰：LSE65R380GT、LSG65R420GMB

其他國產：NCE65R420、SIF65R380、SGM65R420


2）進口 / 國際品牌競品（同參數）


Infineon：IPA60R600P7S、IPP65R060CFD

ST：STB30N65M5、STP13NM60ND、STF45N65M5

ON：FCPF11N65、FCPF12N65

Vishay：SIHG190N65E、SIP11N65

東芝：TK12A60W、TK14G65W



二、客戶核心場景痛點（逆變器 / 電機驅動 / 儲能電源 / 快充）

痛點 1：整機效率低、發熱大、老化快


普通 MOSFET RDS (on) 高 → 導通損耗大 → 溫升高 → 風扇狂轉、外殼燙手、壽命縮短


痛點 2：高壓易炸機、浪涌扛不住、批量不良高


650V 母線尖峰、電機啟動沖擊、反向恢復尖峰 → 普通管雪崩能力弱 → 炸機、燒板、售后成本高


痛點 3：開關慢、損耗高、EMI 難通過


Qg 大、開關拖尾 → 開關損耗大、頻率上不去 → 效率低、EMI 超標、需復雜緩沖電路


痛點 4：供貨不穩、交期長、價格波動大


進口料缺貨、交期 12–16 周、漲價頻繁 → 產線停工、訂單延期、利潤被壓縮


痛點 5：封裝不兼容、改板麻煩、換料成本高


不同品牌引腳定義 / 封裝差異 → 換料需改板、重測、認證周期長



三、宣傳文案（分 3 種風格，直接復制到官網 / 海報）

【專業技術風｜產品詳情頁用】

KIA65R420｜650V/11A 超結 MOSFET，低損耗、高雪崩、全封裝兼容采用 KIA 先進超結技術，RDS (on)=0.38Ω（典型）、Qg=33nC（典型），兼顧低導通損耗與高速開關；100% 雪崩測試、高 dv/dt 抗擾，無懼高壓浪涌與電機沖擊；支持TO-220F/TO-263/TO-252全封裝，pin-to-pin 兼容國內外同規格型號，零改板替換，現貨穩定供應，為逆變器、電機驅動、儲能電源、快充提供高效可靠的功率開關方案。

還

KIA65R420｜650V 超結 MOS，低損耗、高可靠、易替換

650V/11A 功率 MOS 優選：低 RDS、高雪崩、全封裝兼容

告別發熱炸機！KIA65R420 超結 MOS，高效穩定、現貨無憂


7. Test circuits and waveforms 測試電路與特性波形

本產品完整特性測試包含以下項目，對應特性曲線說明如下：

  • Figure 1. Power Dissipation 功耗-殼溫特性曲線
  • Figure 2. Transient Thermal Response Curve 瞬態熱響應曲線
  • Figure 3. Maximum Safe Operating Area @25℃ 25℃下最大安全工作區
  • Figure 4. Maximum Safe Operating Area @80℃ 80℃下最大安全工作區
  • Figure 5. On-Region Characteristics@25℃ 25℃下導通區特性曲線
  • Figure 6. On-Region Characteristics@125℃ 125℃下導通區特性曲線
  • Figure 7. On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage@125℃ 125℃下導通電阻隨漏極電流、柵極電壓的變化曲線
  • Figure 8. On-Resistance Variation vs Temperature 導通電阻隨溫度的變化曲線

  • Figure 9. Transfer Characteristics 轉移特性曲線
  • Figure 10. Gate Charge Characteristics 柵極電荷特性曲線
  • Figure 11. Avalanche Energy Characteristics 雪崩能量特性曲線
  • Figure 12. Breakdown Voltage Variation vs Temperature 擊穿電壓隨溫度的變化曲線
  • Figure 13. Capacitance Characteristics 電容特性曲線
  • Figure 14. On-Resistance Variation vs Temperature 導通電阻隨溫度的歸一化變化曲線
  • Figure 15. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 體二極管正向電壓隨源極電流、溫度的變化曲線

聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

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