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KIA75100A 1000V/24A 高壓 MOSFET

信息來源:本站 日期:2026-05-08 

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KIA75100A 24A 1000V N溝道MOSFET 參數詳情

KIA75100A 1000V/24A 高壓 MOSFET

1. 產品特性

KIA75100A

工藝技術 Advanced Planar Process(先進平面工藝)
導通電阻(RDS(ON)) 典型值380mΩ @ VGS=10V,最大值450mΩ
柵極電荷特性 Low Gate Charge Minimize Switching Loss(低柵極電荷,降低開關損耗)
柵極結構 Rugged Poly silicon Gate Structure(堅固的多晶硅柵極結構)

2. 典型應用場景

BLDC無刷直流電機驅動 BLDC Motor Driver
電焊機設備 Electric Welder
高效率開關電源 High Efficiency SMPS
KIA75100A

KIA75100A 產品介紹

KIA75100A(KNK75100A)是一款**1000V/24A 超高壓大功率N溝道MOSFET**,采用先進平面工藝,TO-264大功耗封裝,具備低內阻、低柵極電荷、超高雪崩能量、超強散熱能力,專為高壓工業設備、大功率電源系統設計。

產品完美解決高壓設備耐壓不足、發熱嚴重、開關損耗大、可靠性低等痛點,廣泛用于電焊機、BLDC無刷電機、高壓開關電源、工業控制等高要求場景,性能對標國際一線品牌,是超高壓MOS的優選方案。

核心優勢亮點

? 1000V超高耐壓 + 24A大電流,滿足超高壓系統需求

? 低導通電阻380mΩ,高壓低損耗,發熱更低

? 低柵極電荷,開關速度快,系統效率更高

? 2500mJ超高雪崩能量,抗沖擊、抗損壞能力極強

? TO-264大功率封裝,散熱性能行業頂尖

? 堅固多晶硅柵極結構,長期工作穩定可靠

? 工作溫度-55℃~150℃,工業級寬溫穩定

? 符合RoHS環保標準,適配高端設備

KIA75100A 直接競品型號一覽表

品牌 競品型號 規格匹配 封裝
英飛凌 SPA24N100 1000V 24A N溝道 TO-264
意法半導體 STP24NM100 1000V 24A N溝道 TO-264
安森美 NTNL24N100 1000V 24A N溝道 TO-264
威世 SiHP24N100 1000V 24A N溝道 TO-264
東芝 TK24A100 1000V 24A N溝道 TO-264
士蘭微 SVF24N100 1000V 24A N溝道 TO-264
新潔能 NCE24TD100 1000V 24A N溝道 TO-264
揚杰 YJ24N100 1000V 24A N溝道 TO-264

KIA75100A VS 競品核心參數對比

參數 KIA75100A 國際品牌競品 國內品牌競品
耐壓 Vdss 1000V 1000V 1000V
連續電流 Id 24A 24A 20~24A
導通電阻 380mΩ(典型) 400~480mΩ 420~500mΩ
雪崩能量 2500mJ 2000~2300mJ 1800~2200mJ
封裝 TO-264 TO-264 TO-264
優勢 內阻更低、雪崩更強、更耐用 價格昂貴、交期極長 雪崩能量偏低、一致性一般

型號與封裝選型

完整型號 封裝 適用場景
KNK75100A TO-264 電焊機、高壓電源、無刷電機、工業控制

典型應用場景

工業電焊機 / 逆變焊機設備
BLDC無刷直流電機驅動
1000V超高壓開關電源
大功率工業控制模塊
高壓逆變器、UPS不間斷電源
新能源高壓控制系統

3. 引腳定義(TO-264封裝)

引腳號 功能定義
1 Gate(柵極)
2 Drain(漏極)
3 Source(源極)

4. 型號與封裝信息

型號 封裝 品牌
KNK75100A TO-264 KIA

5. 絕對最大額定值 (Tc=25℃)

參數 符號 規格 單位
漏源電壓 (VGS=0V) VDSS 1000 V
柵源電壓 (VDS=0V) VGSS ±30 V
連續漏極電流 ID 24 (Tc=25℃) A
15 (Tc=100℃) A
脈沖漏極電流 (VGS=10V) IDM 96 A
單脈沖雪崩能量 (L=0.5mH) EAS 2500 mJ
峰值二極管恢復dv/dt dv/dt 5 V/ns
耗散功率 (Tc=25℃) PD 650 W
25℃以上降額系數 - 5.44 W/℃
焊接溫度 TL 300 (引線1.6mm處10秒)
TPAK 260 (封裝體10秒)
工作與存儲溫度范圍 TJ & TSTG -55 ~ +150

6. 熱特性參數

參數 符號 規格 單位
結-殼熱阻 RθJC 0.192 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA 55 ℃/W

7. 電氣特性 (TA=25℃)

參數類別 參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
關斷特性 漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 1000 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=1000V, VGS=0V - - 5 μA
VDS=800V, TC=125℃ - - 125 μA
柵源正向漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA
導通特性 靜態漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=12A - 380 450
柵極閾值電壓 VGS(th) VGS=VDS, ID=250μA 2.5 - 4.5 V
正向跨導 gFS VDS=25V, ID=12A - 18 - S
動態特性 輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 7300 - pF
反向傳輸電容 Crss - 52 - pF
輸出電容 Coss - 552 - pF
柵極電荷特性 總柵極電荷 Qg VDD=500V, ID=12A, VGS=0~10V - 180 - nC
柵源電荷 Qgs - 50 - nC
柵漏電荷 Qgd - 60 - nC
開關特性 開通延遲時間 td(on) VDD=500V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=12A - 68 - ns
上升時間 tr - 118 - ns
關斷延遲時間 td(off) - 100 - ns
下降時間 tf - 110 - ns
體二極管特性 連續源極電流 ISD - - - 24 A
脈沖源極電流 ISM - - - 96 A
二極管正向壓降 VSD IS=24A, VGS=0V - - 1.5 V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IF=24A, diF/dt=100A/μs - 900 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 2.0 - μC

注:以上數據基于TA=25℃條件,完整特性曲線、測試電路及波形請參考原廠數據手冊。

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KIA75100A

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