槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能，但是結(jié)電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴(kuò)散有機(jī)分離起來(lái)，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴(kuò)散...
常用場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管...常用場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、雙柵場(chǎng)效應(yīng)管、功率場(chǎng)效應(yīng)管等。
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)柵極都可以對(duì)溝道進(jìn)行控制，目的是為了控制的便利性與獨(dú)立性，尤其是有兩個(gè)控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢(shì)壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)（圖1.24）。就PN結(jié)的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱(chēng)為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱(chēng)為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴(kuò)散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變...功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車(chē)電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。
