還在為 MOS 管發(fā)熱大、高頻損耗高發(fā)愁？KCB2920K 系列采用 SGT 溝槽工藝，Rds ...還在為 MOS 管發(fā)熱大、高頻損耗高發(fā)愁？KCB2920K 系列采用 SGT 溝槽工藝，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 規(guī)格，低柵極電荷，是高頻開(kāi)關(guān)電源、同步整流的理想選...
還在為 MOS 管發(fā)熱大、效率低發(fā)愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低內(nèi)阻設(shè)...還在為 MOS 管發(fā)熱大、效率低發(fā)愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低內(nèi)阻設(shè)計(jì)，500V/25A 規(guī)格，低損耗高效率，是開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)選 ...
還在為 MOS 管發(fā)熱大、效率低發(fā)愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低內(nèi)阻設(shè)計(jì)，-30V/5....還在為 MOS 管發(fā)熱大、效率低發(fā)愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低內(nèi)阻設(shè)計(jì)，-30V/5.3A 電流規(guī)格，SOP-8 封裝，低損耗高效率，是電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)的優(yōu)選。
KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 溝道 MOSFET，DFN5×6 封裝，Rds (on) 低至 2....KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 溝道 MOSFET，DFN5×6 封裝，Rds (on) 低至 2.0mΩ，低損耗高效率，專為電源管理、快充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可直接替代 AO4403/SI4403...
KPE4403A2 雙P溝道MOSFET，-30V耐壓/-5A電流，SOP-8封裝，典型Rds(on)=42mΩ，...KPE4403A2 雙P溝道MOSFET，-30V耐壓/-5A電流，SOP-8封裝，典型Rds(on)=42mΩ，低柵極電荷、開(kāi)關(guān)速度快，可直接替代AO4403/SI4403，適用于同步降壓、電源管理，現(xiàn)貨...
KND3080B N溝道MOSFET，30V耐壓80A大電流，TO-252封裝，典型Rds(on)僅4.1mΩ，...KND3080B N溝道MOSFET，30V耐壓80A大電流，TO-252封裝，典型Rds(on)僅4.1mΩ，低柵極電荷、開(kāi)關(guān)速度快，可直接替代進(jìn)口同規(guī)格型號(hào)，廣泛用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、...
