CMOS模擬開(kāi)關(guān)及其應(yīng)用-CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路具有微功耗、使用電...CMOS模擬開(kāi)關(guān)及其應(yīng)用-CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路具有微功耗、使用電源電壓范圍寬和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。其發(fā)展日新月異，應(yīng)用范圍十分廣泛。下面就MOS場(chǎng)...
反相器是構(gòu)成邏輯電路的一個(gè)基本要素，無(wú)論是對(duì)于恢復(fù)邏輯電平的電路、與非門(mén)及...反相器是構(gòu)成邏輯電路的一個(gè)基本要素，無(wú)論是對(duì)于恢復(fù)邏輯電平的電路、與非門(mén)及或非門(mén)電路，還是對(duì)于各種形式的時(shí)序電路以及存儲(chǔ)器電路，它都是需要的。MOS管反相...
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)功率與驅(qū)動(dòng)過(guò)程:在晶體管家族里，MOS管是柵極電壓驅(qū)動(dòng)器件，工作...MOS管柵極驅(qū)動(dòng)功率與驅(qū)動(dòng)過(guò)程:在晶體管家族里，MOS管是柵極電壓驅(qū)動(dòng)器件，工作中并無(wú)直流電流流入柵極，這與基極電流驅(qū)動(dòng)的常規(guī)雙極晶體管在原理上是完全不同的。...
MOS管等效模型-MOS管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所...MOS管等效模型-MOS管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率MOS管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，...
MOS管KIA9120A，200V40A資料-特性：新平面專(zhuān)利技術(shù)，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=...MOS管KIA9120A，200V40A資料-特性：新平面專(zhuān)利技術(shù)，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=10V，低門(mén)電荷，減小開(kāi)關(guān)損耗，快速恢復(fù)體二極管
無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件，在集成電路中有多種設(shè)計(jì)和制造方...無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件，在集成電路中有多種設(shè)計(jì)和制造方法，并有無(wú)源電阻與有源電阻之分。電阻的大小一般以方塊數(shù)來(lái)表示
