場效應(yīng)管的參數(shù)，飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而...場效應(yīng)管的參數(shù)，飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流。夾斷電壓UP它可定義為：當UDS...
場效應(yīng)管知識概述-場效應(yīng)管應(yīng)用的四大點詳解，場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入...場效應(yīng)管知識概述-場效應(yīng)管應(yīng)用的四大點詳解，場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管...
MOS管開關(guān)的工作詳解MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于...MOS管開關(guān)的工作詳解MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案：這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三...MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案：這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響，(1)元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命;(2)因電...
MOS管選型規(guī)范在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本...MOS管選型規(guī)范在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標稱漏源擊...
MOS管SOA分析開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長...MOS管SOA分析開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶...
