10N80E參數,10n80參數引腳圖 漏極電流（ID）：10A 漏極和源極電壓（VDSS）：...10N80E參數,10n80參數引腳圖 漏極電流（ID）：10A 漏極和源極電壓（VDSS）：800V 漏極和源極通態電阻（RDS(on)）：0.85Ω 耗散功率（PD）：42W 封裝：TO-220...
廣東可易亞半導體科技有限公司主營半導體產品豐富，是一家國產MOS管廠家。專業...廣東可易亞半導體科技有限公司主營半導體產品豐富，是一家國產MOS管廠家。專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結場效應管、碳化硅二極管、碳化硅場效應管、...
KIA7N80場效應管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩定性，7n80漏...KIA7N80場效應管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩定性，7n80漏極電流7A，漏源擊穿電壓800V，RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，柵極電荷低，僅為27nC，快...
KIA3N80H場效應管性能優越，漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達800V，表現出強大的功...KIA3N80H場效應管性能優越，漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達800V，表現出強大的功率承受能力；在開啟狀態下，靜態電阻RDS為4.8?，在柵極電壓為10V時具有穩定的電氣...
KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為...KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時表現出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現穩定、快速切...
KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓...KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設...
