跟著科學技術的發展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技...跟著科學技術的發展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術等很多領域緊密親密相關。開關電源在電源技術中據有重要地位，從20kHz發展到高不...
近年來的發展方向是將小功率電源系統集成在一個芯片上，可以使電源產品更為緊湊...近年來的發展方向是將小功率電源系統集成在一個芯片上，可以使電源產品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長度，從而減小了寄生參數。對高頻磁元件所用的磁性材料，...
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementM...MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。 因為場效應管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運用電...
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si...N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子），故在UCs...
用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，...用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就持平于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻 td(on)：MOS導通延遲時刻，從有駛入電壓上升...
