MOSFET 的功率損耗主要受限于 MOSFET 的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不...MOSFET 的功率損耗主要受限于 MOSFET 的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和 MOSFET 自身的功耗決定的。下...
接通電源開關(guān)后，市電電壓經(jīng)整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經(jīng)開關(guān)變...接通電源開關(guān)后，市電電壓經(jīng)整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經(jīng)開關(guān)變壓器的一次繞組送到開關(guān)管的漏極；另一路經(jīng)R1、R2對(duì)C1進(jìn)行充電，當(dāng)C1兩端電壓達(dá)到一...
在功率變換市場(chǎng)中，尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高...在功率變換市場(chǎng)中，尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為具挑戰(zhàn)性的議題。對(duì)于功率密度的提高，普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便...
輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對(duì)大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFE...輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對(duì)大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFET晶體管正在迅速取代繼電器成為所選擇的開關(guān)技術(shù)。
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對(duì)需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對(duì)需要大范圍給定驅(qū)動(dòng)電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
