在設(shè)計大電流電源時，MOSFET是最難確定的元件。這一點(diǎn)在筆記本電腦中尤其顯著，...在設(shè)計大電流電源時，MOSFET是最難確定的元件。這一點(diǎn)在筆記本電腦中尤其顯著，這樣的環(huán)境中，散熱器、風(fēng)扇、熱管和其它散熱手段通常都留給了CPU。這樣，電源設(shè)計...
為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用...為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在...
SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。
柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當(dāng)在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅...柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當(dāng)在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會產(chǎn)生一個柵極(G)指向硅襯底的電場。氧化物層兩邊形成一...
MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20...MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A VDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A
SPIC集控制邏輯、保護(hù)電路、功率器件于一體，如圖1所示，在很多領(lǐng)域如電機(jī)驅(qū)動...SPIC集控制邏輯、保護(hù)電路、功率器件于一體，如圖1所示，在很多領(lǐng)域如電機(jī)驅(qū)動器，電子鎮(zhèn)流器，DC－DC轉(zhuǎn)換器，功率因數(shù)校正器，開關(guān)電源等都有應(yīng)用，并體現(xiàn)出了明...
