KIA10N60HF漏源電壓600V，漏極電流9.5A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，最大限...KIA10N60HF漏源電壓600V，漏極電流9.5A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，高效低耗；具有快速切換能力、指定雪崩能量、改進(jìn)的...
為了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電流方向的阻斷，必須將兩個(gè)MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖，在這種...為了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電流方向的阻斷，必須將兩個(gè)MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖，在這種情況下，如果不是兩個(gè)FET都打開，那么其中總有一個(gè)體二極管可以阻斷對(duì)向的電流。這...
ADC0809內(nèi)部由8路模擬量開關(guān)、8位A-D轉(zhuǎn)換器和三態(tài)輸出鎖存緩沖器組成，可以將由...ADC0809內(nèi)部由8路模擬量開關(guān)、8位A-D轉(zhuǎn)換器和三態(tài)輸出鎖存緩沖器組成，可以將由IN7~IN0輸入的8路(通道)模擬量轉(zhuǎn)成數(shù)字量并由D7~D0引腳輸出。 因?yàn)?路模擬量輸入共...
KIA100N03AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進(jìn)平面條紋DMOS技...KIA100N03AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.3mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有增...
米勒平臺(tái)是IGBT在開關(guān)瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過(guò)內(nèi)部寄生電容Cgc耦合...米勒平臺(tái)是IGBT在開關(guān)瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過(guò)內(nèi)部寄生電容Cgc耦合到門極，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電流被“轉(zhuǎn)移”而無(wú)法繼續(xù)提升門極電壓所造成的現(xiàn)象。
