草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

應用領域

10n60,10n60場效應管參數,600v9.5a,KIA10N60HF-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2026-02-03 

分享到:

10n60,10n60場效應管參數,600v9.5a,KIA10N60HF-KIA MOS管


10n60場效應管參數

KIA10N60HF漏源電壓600V,漏極電流9.5A,極低導通電阻RDS(開啟) 0.6Ω,最大限度地減少導電損耗,低柵極電荷,高效低耗;具有快速切換能力、指定雪崩能量、改進的dv/dt能力,穩定可靠;專為高壓、高速功率開關應用設計,適用于高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器;封裝形式:TO-220F,散熱良好。

詳細參數:

漏源電壓:600V

漏極電流:9.5A

導通電阻:0.6Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:38A

單脈沖雪崩能量:700MJ

功率耗散:50W

總柵極電荷:44nC

輸入電容:1570PF

輸出電容:166PF

反向傳輸電容:18PF

開通延遲時間:23nS

關斷延遲時間:144nS

上升時間:69ns

下降時間:77ns

10n60場效應管參數引腳圖

儲能電源場效應管,KIA10N60H

10n60場效應管參數規格書

儲能電源場效應管,KIA10N60H

儲能電源場效應管,KIA10N60H

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902


搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持

免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。


s