KIA 半導體 KNX6180B（6180B）MOS 管產品介紹

在電源管理、工業控制、電機驅動等場景中，高性能 MOS 管是保障系統穩定高效運行的核心器件。KIA 半導體（KMOS Semiconductor） 推出的KNX6180B（簡稱 6180B） 是一款 N 溝道增強型功率 MOS 場效應管，專為高耐壓、高效率應用場景設計，是國產 MOS 管廠家中極具競爭力的優質型號。

一、產品概述

KNX6180B 采用 KIA 專利 F-Cell?高壓平面 VDMOS 工藝制造，優化的制程與結構設計讓該型號實現了低導通電阻、優異的開關性能、高能量脈沖耐受能力，可在雪崩和換流模式下穩定工作，廣泛適用于 AC-DC 電源、DC-DC 轉換器、H 橋 PWM 電機驅動等場景。

基礎核心參數

KIA KNX6180B封裝：TO-220F類型：N 溝道高壓 MOS 管規格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω用途：開關電源、適配器、充電樁、工業電源、AC-DC 反激電源二、核心規格與關鍵參數

對標替代

一、國內國產競品（同參數 800V 10A）

士蘭微：SVF10N80F
華潤華晶：HJ10N80F
揚杰科技：YJG10N80A
捷捷微：JJW10N80
富滿電子：FMV10N80
深愛半導體：SIT10N80
長電科技：CEU10N80
東微半導體：DE10N80
二、臺系品牌競品
富鼎：AP10N80GI
茂迪：MD10N80
尼克森：NCE10N80
泰德：TD10N80
光磊：GL10N80

1. 基礎訂購信息

型號：KNF6180B（KNX6180B，6180B）

封裝：TO-220F

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）

2. 絕對最大額定值（Tc=25℃，除非另有說明）

3. 熱特性

參數	符號	額定值	單位
結到殼熱阻	RθJC	2.02	℃/W
結到環境熱阻	RθJA	62.5	℃/W

4. 電氣特性（Tc=25℃，除非另有說明）

參數	符號	條件	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=250uA	-	-	800V
漏源漏電流	IDSS	VDS=800V, VGS=0V	-	1	uA
柵源漏電流	IGSS	VGS=±30V, VDS=0V	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(TH)	VDS=VGS, ID=250uA	2.0~4.0	-	V
導通電阻	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5.0A	0.87	1.05	mΩ
柵極電阻	RG	F=1MHz	16	-	Ω
輸入電容	Ciss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	1625	-	pF
輸出電容	Coss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	152	-	pF
反向傳輸電容	Crss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	6.4	-	pF
開通延遲時間	td(on)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	28	-	nS
上升時間	tr	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	42	-	nS
關斷延遲時間	td(off)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	90	-	nS
下降時間	tf	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	75	-	nS
總柵極電荷	Qg	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	32	-	nC
柵源電荷	Qgs	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	8.5	-	nC
柵漏（米勒）電荷	Qgd	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	12	-	nC
反向二極管正向電壓	VSD	IS=10A, VGS=0V	-	1.4	V
反向恢復時間	trr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	611	-	ns
反向恢復電荷	Qrr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	5.6	-	nC

三、產品核心優勢

低導通損耗：典型 RDS (ON) 僅 0.87mΩ（VGS=10V, ID=5.0A），大幅降低導通階段的功率損耗，提升電源轉換效率。

優異開關性能：低柵極電荷（Qg 典型值 32nC）、快速開關時間，適配高頻開關電源場景，減少開關損耗。

高耐壓與高可靠性：800V 高耐壓設計，搭配優異的雪崩能量耐受能力與 dv/dt 魯棒性，適配工業級高可靠性應用。

封裝適配性強：TO-220F 封裝散熱性能優異，適合大功率場景使用，且引腳定義清晰（1 腳柵極 G、2 腳漏極 D、3 腳源極 S），便于電路設計與焊接。

四、典型應用場景

AC-DC 開關電源、反激電源、LLC 諧振電源

DC-DC 轉換器、隔離電源模塊

H 橋 PWM 電機驅動、工業電機控制器

充電器、適配器、光伏輔助電源

各類對耐壓、效率、可靠性要求較高的功率變換場景

五、關于 KIA 半導體

KIA 半導體（KMOS Semiconductor）是國內專業的 MOS 管廠家，專注功率半導體器件研發與制造，擁有完善的質量管控體系與豐富的產品型號矩陣。KNX6180B 作為其高壓 MOS 管代表型號，經過嚴苛的測試驗證，性能穩定、一致性高，可提供樣品申請、批量供貨與技術支持服務，是工業、消費電子領域的優質 MOS 管供應商。

如需了解 KNX6180B 的詳細測試曲線、應用方案或批量采購報價，可直接聯系 KIA 半導體原廠獲取技術支持。

聯系方式：鄒先生

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