供電mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-17
電機(jī)控制器mos管KIA50N06BP漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，高效穩(wěn)定；無鉛和綠色設(shè)備，環(huán)?？煽?；廣泛應(yīng)用于UPS、電源管理、電池管理系統(tǒng)等；封裝形式：TO-220。
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：250A
單脈沖雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2060PF
輸出電容：755PF
反向傳輸電容：375PF
開通延遲時間：14nS
關(guān)斷延遲時間：20nS
上升時間：13ns
下降時間：7.5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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