充電器mos,1000v2a,to220,KNP41100A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-24
KNP41100A超高壓場效應管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導通電阻RDS(開啟) 9.6Ω，最大限度地減少導電損耗，超低柵極電荷，開關速度快，高效低耗；快速恢復體二極管用于反向電壓保護和續流功能，提高器件的開關速度和效率，穩定可靠，符合RoHS，環保無鉛；廣泛應用于SMPS備用電源、適配器、充電器；封裝形式：TO-220，散熱出色、適合高功率場景。
詳細參數：
漏源電壓：1000V
漏極電流：2A
導通電阻：9.6Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：8A
雪崩能量單脈沖：80MJ
最大功耗：60W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：370PF
輸出電容：40PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：36nS
上升時間：6ns
下降時間：15ns
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