電機控制,12N10mos,?12N10場效應管,KCT012N10N參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-09
KCT012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），最大限度地減少導電損耗，提高效率；100% DVDS測試、100% 雪崩測試、符合JEDEC標準，穩(wěn)定可靠，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；封裝形式：TOLL，廣泛應用于高功率密度場景。
詳細參數：
漏源電壓：100V
漏極電流：330A
導通電阻：1.5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1320A
單脈沖雪崩能量：540MJ
功率耗散：461W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：260nC
輸入電容：15800PF
輸出電容：1930PF
反向傳輸電容：75PF
開通延遲時間：81nS
關斷延遲時間：167nS
上升時間：178ns
下降時間：68ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
