50N08場效應管參數,電機驅動mos,?85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-10
KCT050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，廣泛應用于電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中；封裝形式：TOLL，體積小，散熱良好，適用于高功率密度場景。
詳細參數：
漏源電壓：85V
漏極電流：120A
導通電阻：4.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：144MJ
功率耗散：174W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：55nC
輸入電容：3086PF
輸出電容：1057PF
反向傳輸電容：26PF
開通延遲時間：20.1nS
關斷延遲時間：45.1nS
上升時間：38.9ns
下降時間：22.8ns
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