032N10mos,120a100v場(chǎng)效應(yīng)管,032N10參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-12-15
KCT032N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少損耗，開(kāi)關(guān)速度快，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測(cè)試、100%雪崩測(cè)試，高可靠性和穩(wěn)定性，性能優(yōu)越，在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TOLL，適用于高功率密度場(chǎng)景。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：215W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：130nC
輸入電容：7470PF
輸出電容：930PF
反向傳輸電容：50PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：50nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：97nS
上升時(shí)間：74ns
下降時(shí)間：30ns
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