10N65F參數(shù),?10n65場效應管參數(shù),650v10a mos-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-04
KIA10N65HF場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，低導通電阻RDS(開啟) 0.65Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷(典型48nC)，高效低耗；具有快速切換、指定的雪崩能量以及改進的DV/DT功能，穩(wěn)定可靠，提高開關響應速度，廣泛應用于高壓、高速功率開關應用中，如高效開關電源、LED驅動、儲能電源；封裝形式：TO-220F。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
導通電阻：0.65Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：709MJ
功率耗散：52W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：1665PF
反向傳輸電容：18PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：70ns
下降時間：80ns
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