nmos和pmos電流流向詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2026-02-11
對(duì)于NMOS看下圖中的箭頭，都是遠(yuǎn)離源頭。
對(duì)于PMOS看箭頭，都是指向源頭。
P：POSITIVE積極的尋找自己的起源。
N：NEGTIVE消極的遠(yuǎn)離自己的源頭。
首先明確，S是源極，D是漏極對(duì)于NMOS，載流子是電子，電子的極到源極。對(duì)于PMOS，載流子是空穴對(duì)，是PMOS電流的方向也是從源極到漏極，注意區(qū)分。
電流流向與載流子
NMOS（N溝道MOSFET）：其主要載流子是電子（負(fù)電荷）。導(dǎo)通時(shí)，電子從源極流向漏極，但根據(jù)電路理論中電流方向定義為正電荷流動(dòng)方向，因此電流方向與電子流動(dòng)方向相反，為從漏極（D）到源極（S）。
PMOS（P溝道MOSFET）：其主要載流子是空穴（等效正電荷）。導(dǎo)通時(shí)，空穴從源極流向漏極，其方向與正電荷流動(dòng)方向一致，因此電流方向?yàn)閺脑礃O（S）到漏極(D)。
nmos和pmos電流流向和導(dǎo)通條件
注意：當(dāng)防反接應(yīng)用時(shí)，NMOS電流可以從S→D極，如下；
NMOS是柵極高電平（VGS|>Vt)導(dǎo)通，低電平斷開(kāi)，可用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。PMOS是柵極低電平（IVGS|>Vt)導(dǎo)通，高電平斷開(kāi)，可用來(lái)控制與電源之間的導(dǎo)通。
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