草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

應用領域

nce01p18,nce01p18k參數代換,KIA35P10AD現貨特價-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2026-04-08 

分享到:

nce01p18,nce01p18k參數代換,KIA35P10AD現貨特價-KIA MOS管


nce01p18,nce01p18k參數

漏源電壓(Vdss):100V。

連續漏極電流(Id):18A(25℃時)。

導通電阻(Rds(on)):100mΩ(典型值@Vgs=10V,Id=16A)。

功率耗散(Pd):70W(Ta=25C)。

柵源閾值電壓(Vgs(th)):3V(@250uA)。

封裝形式:采用TO-252貼片封裝,適合表面貼裝工藝。適用于開關電源、DC-DC變換器、電動驅動及工業控制系統。

nce01p18,nce01p18k參數代換

原廠特價現貨KIA35P10AD可以代換nce01p18場效應管應用,漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,采用KIA先進的溝槽技術制造,優秀的QgxRDS(on)產品(FOM),提供卓越的開關性能;低導通電阻RDS(開啟) 32mΩ,最大限度地減少導電損耗,減少導通損耗,低柵極電荷,高效低耗;符合JEDEC標準,穩定可靠;廣泛應用于電機控制和驅動、電池管理、UPS不間斷電源等;封裝形式:TO-252,體積小,散熱出色。

詳細參數:

漏源極電壓:-100V

漏極電流:-35A

導通電阻:32mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:-135A

雪崩能量單脈沖:95MJ

最大功耗:94W

柵極閾值電壓:-2V

總柵極電荷:95nC

輸入電容:5700PF

輸出電容:170PF

反向傳輸電容:82PF

開通延遲時間:14nS

關斷延遲時間:85nS

上升時間:40ns

下降時間:75ns

nce01p18,nce01p18k參數代換引腳圖

nce01p18,nce01p18k參數

nce01p18,nce01p18k參數代換規格書

nce01p18,nce01p18k參數

nce01p18,nce01p18k參數

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902


搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持

免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。

s