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11n40,11n40c參數(shù),400v11a場效應管,KNF6140S批發(fā)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2026-04-14 

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11n40,11n40c參數(shù)

最大漏源電壓:400V

最大連續(xù)漏極電流:10.5A

最大導通電阻:0.53Ω(典型值)

11n40采用TO-220或TO-220F封裝,用于開關電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)和電子燈鎮(zhèn)流器等應用。

11n40c代換,400v11a場效應管參數(shù)

11n40c場效應管參數(shù) 1:1 完全匹配,替代首選型號KNF6140S是一款N溝道增強型MOSFET,采用平面條紋和DMOS技術制造,與11n40c參數(shù)、封裝、特性完全一致,國內優(yōu)質原廠現(xiàn)貨批發(fā),貨源穩(wěn)定。

KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,低導通電阻RDS(on)=0.53Ω@10V,中高壓下低損耗、高效率;具有低柵極電荷 (Qg),開關速度快,適合高頻電路;100% 雪崩測試,抗沖擊能力強,工作穩(wěn)定可靠;適用于AC-DC 開關電源、適配器、LED 驅動、PFC 電路、電子鎮(zhèn)流器、繼電器驅動;封裝形式:TO-220F,全塑封封裝。

詳細參數(shù):

漏源電壓:400V

漏極電流:11A

導通電阻:0.53Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:44A

單脈沖雪崩能量:365MJ

功率耗散:40.2W

閾值電壓:2-4V

總柵極電荷:15.7nC

輸入電容:980PF

輸出電容:140PF

反向傳輸電容:2.6PF

開通延遲時間:33.5nS

關斷延遲時間:83nS

上升時間:31.5ns

下降時間:56ns

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聯(lián)系方式:鄒先生

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