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KIA 45100A N溝道MOSFET|1000V/6A 低耗高效 適配適配器/充電器【現貨】

信息來源:本站 日期:2026-05-06 

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KIA 45100A N溝道MOSFET|1000V/6A 低耗高效 適配適配器/充電器【現貨】

【KIA 45100A現貨直供】N溝道MOSFET,1000V/6A核心參數,RDS(ON)典型值2.0Ω,低柵極電荷+內置快恢復體二極管,大幅降低開關損耗。

支持TO-220/TO-252/TO-220F多封裝,可無縫替代IXFH6N100F、STF8NK100Z等競品,適配適配器、充電器、SMPS待機電源,工業級穩定,

RoHS合規,選型無憂,點擊查看詳細參數與報價!KIA 45100A MOS管,專注高壓電源場景,1000V漏源電壓、6A連續漏極電流,脈沖漏極

電流達24A,抗雪崩能力優異(單脈沖雪崩能量500mJ)。低耗高效設計,適配各類中高壓電源設備,對比同級競品,性價比更高、替換更便捷,

無需修改設備結構。廠家直供,品質嚴控,點擊獲取選型手冊與現貨報價,解決您的采購痛點!

KIA 45100A

3.工業級高壓MOSFET|KIA 45100A,N溝道設計,1000V/6A精準參數,結溫范圍-55℃~150℃,穩定適配嚴苛工業環境。內置快恢復體二極

管,低開關損耗,助力設備節能降耗,廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源。可替代IXTH6N100D2、IXTA6N100D2等競品,多封裝

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KIA 45100A 替代(N溝道MOSFET,VDSS=1000V,ID≈6A)

競品品牌 競品型號 核心參數(與KIA 45100A對比) 競爭關系說明
IXYS IXFH6N100F VDSS=1000V,ID=6A,TO-247封裝,RDS(ON)最大1.9Ω 直接競品,核心參數高度一致,僅封裝略有差異
IXYS IXTH6N100D2 VDSS=1000V,ID=6A,TO-247封裝,RDS(ON)=2.2Ω 性價比接近,工業領域常見替代型號,參數與KIA 45100A幾乎持平
IXYS IXTA6N100D2 VDSS=1000V,ID=6A,TO-263封裝,RDS(ON)=2.2Ω 封裝差異化競爭,SMD/SMT類型,適配小型化設備
STMicroelectronics STF8NK100Z VDSS=1000V,ID=6.5A,TO-220封裝,RDS(ON)=1.6Ω 同級別高性能競品,電流略高于KIA 45100A

補充說明:ONSemi FQA8N100C(ID=8A)、IXYS IXFA4N100Q(ID=4A)等型號,因連續漏極電流與KIA 45100A(6A)偏差較大,不屬于核心競品,僅為同電壓等級的關聯型號。

KIA 45100A

KIA 45100A (6.0A 1000V N溝道MOSFET) 參數表

KIA 45100A - 6.0A, 1000V N溝道MOSFET

1. 產品特性 (Features)
  • RoHS Compliant (符合RoHS標準)
  • RDS(ON) = 2.0Ω(典型值) @ VGS=10V
  • 低柵極電荷,開關損耗更低
  • 內置快恢復體二極管
2. 應用領域 (Applications)
  • 適配器 (Adaptor)
  • 充電器 (Charger)
  • SMPS待機電源 (SMPS Standby Power)
3. 引腳定義 (Pin Configuration)
引腳 (Pin) 功能 (Function)
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)

封裝形式:TO-252 / TO-220 / TO-220F(引腳定義一致)

4. 訂購信息 (Ordering Information)
型號 (Part Number) 封裝 (Package) 品牌 (Brand)
KND45100A TO-252 KIA
KNP45100A TO-220 KIA
KNF45100A TO-220F KIA
5. 絕對最大額定值 (Absolute Maximum Ratings)

條件:TC=25℃,除非另有說明

參數 (Parameter) 符號 (Symbol) 額定值 (Ratings) 單位 (Unit)
漏源電壓 (TJ=25℃) VDSS 1000 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續漏極電流 @ TC=25℃ ID 6.0 A
脈沖漏極電流 @ VGS=10V (受TJmax限制) IDM 24 A
單脈沖雪崩能量 (VDD=50V) EAS 500 mJ
最大耗散功率 PD 65 W
最高結溫 TJmax 150
存儲溫度范圍 TSTG -55 ~ 150
6. 熱特性 (Thermal Characteristics)
參數 (Parameter) 符號 (Symbol) 額定值 (Ratings) 單位 (Unit)
結到殼熱阻 RθJC 1.92 ℃/W
結到環境熱阻 RθJA 100 ℃/W
7. 電氣特性 (Electrical Characteristics)

條件:TJ=25℃,除非另有說明

參數 (P

arameter)

符號 (Symbol) 測試條件 (Test Conditions) 最小值 (Min.) 典型值 (Typ.) 最大值 (Max.) 單位 (Unit)
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 1000 -- -- V
漏源漏電流 IDSS VDS=1000V, VGS=0V -- -- 1 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V -100 -- 100 nA
漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=3.0A -- 2.0 2.3 Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 3.0 5.0 -- V
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz -- 1600 -- pF
反向傳輸電容 Crss -- 20 -- pF
輸出電容 Coss -- 130 -- pF
總柵極電荷 Qg VDD=500V, ID=3.0A, VGS=10V -- 35 -- nC
柵源電荷 Qgs -- 10 -- nC
柵漏(Miller)電荷 Qgd -- 10 -- nC
開通延遲時間 td(ON) VDD=500V, ID=3.0A, RG=4.7Ω, VGS=10V (電阻負載) -- 22 -- nS
上升時間 trise -- 45 -- nS
關斷延遲時間 td(OFF) -- 45 -- nS
下降時間 tfall -- 50 -- nS
連續源極電流 ISD -- -- -- 6 A
正向壓降 VSD IS=6.0A, VGS=0V -- -- 1.5 V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IF=6.0A, diF/dt=-100A/μs -- 220 -- ns
反向恢復電荷 Qrr -- 1.0 -- μC

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KIA 45100A

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