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KIA6115A P 溝道 MOSFET｜-150V/-10A 低 Rds (on) 電機驅(qū)動優(yōu)選

信息來源：本站　日期：2026-05-06　

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KIA 6115A (-10A/-150V P溝道MOSFET) 參數(shù)表


KIA6115A P 溝道 MOSFET｜-150V/-10A 低 Rds (on) 電機驅(qū)動優(yōu)選

KIA6115A -150V/-10A P溝道MOSFET

KIA6115A

DFN5*6 / TO-252封裝｜低導通電阻｜低柵極電荷｜100%雪崩測試｜適用于電機驅(qū)動、同步整流、主板供電


KIA6115A可替代對比參數(shù)
品牌型號 類型 Vds電壓 Id電流 Rds(on) 封裝 替代關(guān)系
KIA6115A P溝道 -150V -10A 300mΩ DFN5*6/TO-252 原廠標準品
AO3401A P溝道 -30V -4.2A 70mΩ SOT-23 低壓小電流
SI2302 P溝道 -20V -2.8A 150mΩ SOT-23 低壓小電流
AP9975 P溝道 -60V -12A 450mΩ TO-252 中壓替代
IRF4905 P溝道 -55V -42A 100mΩ TO-220 大封裝替代
NTD4960N P溝道 -60V -12A 400mΩ TO-252 直接競品
Si7114DP P溝道 -150V -6.7A 450mΩ DFN5*6 高壓直接競品
BSP170 P溝道 -100V -2.2A 600mΩ SOT-223 中壓競品
KIA6115A 可直接替代型號
競品品牌 競品型號 替代說明
VISHAY Si7114DP 150V P溝道 直接PIN對PIN替代
ONSEMI NTD4960N TO-252封裝 性能升級替代
DIODES AP9975 中壓場景 低成本替代
INFINEON BSP170 小功率場景 兼容替代
KIA6115A產(chǎn)品核心優(yōu)勢


KIA6115A

一、產(chǎn)品核心賣點

1、-150V/-10A高壓大電流P溝道MOSFET，DFN5*6/TO-252雙封裝可選，滿足不同設備結(jié)構(gòu)需求；

2、低導通電阻300mΩ，低柵極電荷，開關(guān)速度快，發(fā)熱更低，轉(zhuǎn)換效率更高；

3、100%雪崩測試+100%動態(tài)電壓應力測試，穩(wěn)定性強，可靠性遠超行業(yè)標準；

4、低熱阻設計，適合長時間高負荷運行，適配BLDC電機、主板供電、同步整流等高要求場景；

5、可直接替代Si7114DP、NTD4960N、AP9975等同類型競品，無需改板，降低研發(fā)成本。


二、KIA6115A介紹

KIA6115A是一款高性能-150V/-10A P溝道MOS管，采用DFN5*6與TO-252小型化封裝，具備低導通電阻、低柵極電荷、高熱穩(wěn)定性等優(yōu)勢，廣泛用于BLDC電機驅(qū)動、開關(guān)電源二次同步整流、主板/顯卡核心供電、POL電源模塊等領(lǐng)域。產(chǎn)品經(jīng)過100%雪崩與可靠性測試，品質(zhì)穩(wěn)定，可直接替代國際品牌同型號競品，是高壓P溝道應用的高性價比優(yōu)選方案。


封裝與應用場景
型號 封裝 典型應用場景
KPY6115A DFN5*6 超薄設備、筆記本供電、小型電機驅(qū)動
KPD6115A TO-252 電源適配器、電機驅(qū)動、工控主板
body { font-family: Arial, sans-serif; line-height: 1.6; margin: 20px; color: #333; } table { width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 15px 0; background: #fff; } table th, table td { border: 1px solid #ddd; padding: 8px; text-align: left; } table th { background-color: #f5f5f5; font-weight: bold; } .section-title { font-size: 1.2em; font-weight: bold; margin: 25px 0 10px; color: #2c3e50; } .note { font-size: 0.9em; color: #666; margin: 5px 0; } /* 響應式適配 */ @media (max-width: 768px) { table { display: block; overflow-x: auto; } }

KIA 6115A - -10A, -150V P溝道MOSFET

1. 產(chǎn)品特性 (Features)
  • 先進高密度溝槽工藝 (Advance high cell density Trench technology)
  • 低導通電阻，降低傳導損耗 (Low RDS(ON) to minimize conductive loss)
  • 低柵極電荷，實現(xiàn)快速開關(guān) (Low Gate Charge for fast switching)
  • 低熱阻 (Low Thermal resistance)
  • 100%雪崩測試 (100% Avalanche tested)
  • 100%動態(tài)電壓應力測試 (100% DVDS tested)
2. 應用領(lǐng)域 (Applications)
  • 主板/顯卡核心供電 (MB/VGA Vcore)
  • SMPS二次同步整流 (SMPS 2nd Synchronous Rectifier)
  • POL應用 (POL application)
  • 無刷直流電機驅(qū)動 (BLDC Motor driver)
3. 引腳定義 (Pin Configuration)
封裝 (Package) 引腳 (Pin) 功能 (Function)
DFN5*6 4 Gate (柵極)
5,6,7,8 Drain (漏極)
1,2,3 Source (源極)
TO-252 1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)
4. 訂購信息 (Ordering Information)
型號 (Part Number) 封裝 (Package) 品牌 (Brand)
KPY6115A DFN5*6 KIA
KPD6115A TO-252 KIA
5. 絕對最大額定值 (Absolute Maximum Ratings)

條件：TC=25℃，除非另有說明

參數(shù) (Parameter) 符號 (Symbol) 額定值 (Ratings) 單位 (Unit)
漏源電壓 VDS -150 V
柵源電壓 VGS ±20 V
連續(xù)漏極電流 (VGS=-10V) ID @ TC=25℃ -10 A
ID @ TC=100℃ -6.4 A
脈沖漏極電流 IDM -40 A
總耗散功率 PD @ TC=25℃ 89 W
PD @ TC=100℃ 35 W
雪崩能量 EAS 30.2 mJ
雪崩電流 IAS -11 A
工作與存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃
6. 熱特性 (Thermal Characteristics)
參數(shù) (Parameter) 符號 (Symbol) 典型值 (Typ.) 單位 (Unit)
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 20 ℃/W
結(jié)到殼熱阻 RθJC 1.4 ℃/W
7. 電氣特性 (Electrical Characteristics)

條件：TJ=25℃，除非另有說明


參數(shù) (Parameter)

符號 (Symbol) 測試條件 (Conditions) 最小值 (Min.) 典型值 (Typ.) 最大值 (Max.) 單位 (Unit)
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=-250μA -150 - - V
漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-5A - 300 320 mΩ
柵極閾值電壓 VGS(th) VGS=VDS, ID=-250μA -2.0 - -4.0 V
漏源漏電流 IDSS VDS=-150V, VGS=0V, TJ=25℃ - - -1 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
正向跨導 gfs VDS=-5V, ID=-3A - 11 - S
柵極電阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 5.7 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz - 2109 - pF
輸出電容 Coss - 513 - pF
反向傳輸電容 Crss - 408 - pF
總柵極電荷 Qg VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A - 35 - nC
柵源電荷 Qgs - 6 - nC
柵漏電荷 Qgd - 8.5 - nC
開通延遲時間 Td(on) VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A - 28 - ns
上升時間 Tr - 30 - ns
關(guān)斷延遲時間 Td(off) - 230 - ns
下降時間 Tf - 130 - ns
連續(xù)源極電流 IS VG=VD=0V, Force Current - - -10 A
二極管正向壓降 VSD VGS=0V, IS=-5A, TJ=25℃ - - -1.2 V
反向恢復時間 trr IF=-5A, TJ=25℃, dI/dt=100A/μs - 34 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 32 - nC

聯(lián)系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KIA6115A

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