草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

KIA3725A|250V/50A 大功率 MOSFET 低損耗逆變器優(yōu)選

信息來源:本站 日期:2026-05-06 

分享到:
KIA3725A 50A/250V N溝道MOSFET 參數表

KIA3725A|250V/50A 大功率 MOSFET 低損耗逆變器優(yōu)選

1. 產品特性 (Features) KIA3725A 250V/50A N溝道MOSFET 產品詳情


KIA3725A - 250V/50A N溝道MOSFET

TO-220F / TO-3P 雙封裝|低導通電阻45mΩ|快恢復體二極管|適用于逆變器、開關電源、電機控制、DC-DC轉換

KIA3725A


同類競品參數對比表
品牌型號 類型 Vds Id Rds(on) 封裝 替代關系
KIA3725A N溝道 250V 50A 45mΩ TO-220F/TO-3P 原廠標準品
IRF460 N溝道 250V 46A 85mΩ TO-220 直接競品
FDP50N25 N溝道 250V 50A 58mΩ TO-220 直接競品
MTW50N25 N溝道 250V 50A 55mΩ TO-247 高壓競品
SPW50N25 N溝道 250V 50A 56mΩ TO-247 直接競品
TK50N25 N溝道 250V 50A 60mΩ TO-220F 可升級替代
KIA3725A 可直接替代型號
品牌 型號 替代說明
IR IRF460 250V 直接PIN對PIN替代
ONSEMI FDP50N25 性能升級 無需改板
TOSHIBA TK50N25 TO-220F 完美兼容
國產 MTW50N25 大功率場景替代
產品核心優(yōu)勢
1、250V高耐壓+50A大電流,滿足大功率電源、逆變器、電機驅動嚴苛要求;
2、超低導通電阻45mΩ,發(fā)熱更低、轉換效率更高,長期運行更穩(wěn)定;
3、內置快恢復體二極管,開關損耗小,抗沖擊能力強;
4、TO-220F/TO-3P雙封裝可選,適配不同設備結構設計;
5、100%可靠性測試,雪崩能量高達1250mJ,工業(yè)級品質;
6、可直接替代IRF460、FDP50N25、TK50N25等同規(guī)格型號,降低成本。
KIA3725A
KIA3725A是一款高性能250V/50A N溝道MOSFET,采用先進平面工藝,具備超低導通電阻與快恢復體二極管,廣泛應用于DC-DC轉換器、UPS逆變器、開關電源、電機控制等領域。產品支持TO-220F/TO-3P雙封裝,可直接替代IRF460、FDP50N25等同類型競品,無需改板,性價比突出,是大功率電源與工業(yè)控制的理想選擇。
  • 采用專有新型平面工藝 (Proprietary New Planar Technology)
  • 低導通電阻,RDS(ON)=45mΩ(典型值) @ VGS=10V
  • 低柵極電荷,降低開關損耗 (Low Gate Charge Minimize Switching Loss)
  • 內置快恢復體二極管 (Fast Recovery Body Diode)
2. 應用領域 (Applications)
  • DC-DC轉換器 (DC-DC Converters)
  • UPS用DC-AC逆變器 (DC-AC Inverters for UPS)
  • 開關電源 (SMPS)
  • 電機控制 (Motor controls)

KIA3725A

3. 引腳定義 (Pin Configuration)
引腳 (Pin) 功能 (Function)
1 Gate (柵極)
2 Drain (漏極)
3 Source (源極)

封裝形式:TO-220F / TO-3P(引腳定義一致)

4. 訂購信息 (Ordering Information)
型號 (Part Number) 封裝 (Package) 品牌 (Brand)
KNF3725A TO-220F KIA
KNH3725A TO-3P KIA
5. 絕對最大額定值 (Absolute Maximum Ratings)

條件:TC=25℃,除非另有說明

參數 (Parameter) 符號 (Symbol) TO-220F TO-3P 單位 (Unit)
漏源電壓 VDSS 250 250 V
柵源電壓 VGSS ±20 ±20 V
連續(xù)漏極電流 @ TC=25℃ ID 50 50 A
連續(xù)漏極電流 @ TC=100℃ ID 25 25 A
脈沖漏極電流 @ VGS=10V IDM 200 200 A
單脈沖雪崩能量 EAS 1250 1250 mJ
二極管峰值恢復dV/dt dv/dt 5.0 5.0 V/ns
耗散功率 PD 125 278 W
降額系數(高于25℃) 1.0 1.0 W/℃
焊接溫度 TL(引腳) 300 300
TPAK(本體) 260 260
工作與存儲溫度范圍 TJ & TSTG -55 ~ 150 -55 ~ 150
6. 熱特性 (Thermal Characteristics)
參數 (Parameter) 符號 (Symbol) TO-220F TO-3P 單位 (Unit)
結到環(huán)境熱阻 RθJA 100 50 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC 1.0 0.45 ℃/W
7. 電氣特性 (Electrical Characteristics)

條件:TJ=25℃,除非另有說明

參數 (Parameter) 符號 (Symbol) 測試條件 (Conditions) 最小值 (Min.) 典型值 (Typ.) 最大值 (Max.) 單位 (Unit)
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 250 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=250V, VGS=0V - - 1 μA
VDS=200V, VGS=0V, TJ=125℃ - - 100 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
漏源導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=25A - 45 60
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V
正向跨導 gfs VDS=15V, ID=20A - 65 - S
輸入電容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 3500 - pF
輸出電容 Coss - 480 - pF
反向傳輸電容 Crss - 248 - pF
總柵極電荷 Qg VDD=100V, ID=20A, VGS=0到10V - 72 - nC
柵源電荷 Qgs - 25 - nC
柵漏電荷 Qgd - 18 - nC
開通延遲時間 td(on) VDD=100V, ID=20A, VGS=10V, RG=3.9Ω - 18 - ns
上升時間 tr - 29 - ns
關斷延遲時間 td(off) - 63 - ns
下降時間 tf - 24 - ns
連續(xù)源漏電流 ISD 集成PN二極管 - - 50 A
脈沖源漏電流 ISM 集成PN二極管 - - 200 A
二極管正向壓降 VSD VGS=0V, IS=40A - - 1.5 V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IF=20A, dIF/dt=100A/μs - 180 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 400 - μC

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KIA3725A

搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持

免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。



s