KIA6140S 400V11A MOSFET 低內阻高雪崩原裝
信息來源：本站 日期：2026-05-09
KIA6140S 400V11A MOSFET 低內阻高雪崩原裝
| KIA6140S (KNX6140S) 核心參數總覽 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | KNX6140S (N溝道增強型功率MOSFET) | ||
| 封裝 | TO-220 (KNP6140S) / TO-220F (KNF6140S) | ||
| 額定電壓 VDSS | 400V | 額定電流 ID (25℃) | 11A |
| 導通電阻 RDS(on) (典型值) | 0.53Ω @ VGS=10V, ID=5A | 柵極電荷 Qg (典型值) | 15.7nC @ VGS=10V, ID=11A |
| KIA6140S 產品基本信息 | |||
|---|---|---|---|
| 產品型號 | KIA6140S / KNX6140S / KNP6140S / KNF6140S | 通道類型 | N溝道增強型 |
| 封裝形式 | TO-220 / TO-220F | 品牌 | KIA |
| 漏源電壓 VDSS | 400V | 連續漏極電流 ID | 11A@25℃ |
| 核心電氣參數（TJ=25℃） | ||||
|---|---|---|---|---|
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 參數值 | 單位 |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | ID=250μA, VGS=0V | 400 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | ID=250μA | 2.0~4.0 | V |
| 靜態導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | 0.53(典型)/0.64(最大) | Ω |
| 總柵極電荷 | Qg | VGS=10V | 15.7 | nC |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | - | 365 | mJ |
| 工作溫度 | Tj | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 可直接替代競品型號 | |
|---|---|
| 品牌 | 替代型號 |
| 英飛凌 | SPA11N40、SPA11N40C |
| 安森美 | FQP11N40、FQP11N40C |
| 意法半導體 | STP11N40、STP11N40K3 |
| 仙童/威世 | FQD11N40、SIHP11N40D |
| 國產通用 | IRF11N40、CS11N40、HY11N40 |
| 產品特點 | 應用領域 |
|---|---|
|
? 400V高耐壓，11A大電流 ? 低導通電阻，低損耗高效率 ? 高雪崩能力，抗沖擊性強 ? 快速開關，適合高頻電路 ? 寬溫工作，工業級穩定性 ? 原裝正品，性價比優異 |
? 開關電源 / AC-DC變換器 ? LED驅動電源 / 適配器 ? 電機驅動 / 電磁閥控制 ? 繼電器驅動 / 家電控制 ? 工業控制 / 功率開關模塊 |
一、KIA6140S 全系列競品型號（400V 11A N 溝道 MOSFET 直接替代
1. INFINEON英飛凌：SPA11N40、SPA11N40C、IPD60R380CP
2. ON安森美：NTD4960N、FQP11N40、FQP11N40C
3. ST意法半導體：STP11N40、STP11N40K3
4. TOSHIBA東芝：TK11A40D、TK11A40U
5. FAIRCHILD仙童：FQP11N40、FQD11N40
6. VISHAY威世：SIHP11N40D、SIHP11N40
7. 國產替代：CS11N40、IRF11N40、JP11N40、HY11N40
| 絕對最大額定值 (TC=25℃) | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | TO-220 (KNP6140S) | TO-220F (KNF6140S) | 單位 | 備注 |
| 漏源電壓 | VDSS | 400 | 400 | V | - |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | ±30 | V | - |
| 連續漏極電流 ID | TC=25℃ | 11 | 11* | A | *受最高結溫限制 |
| TC=100℃ | 6.6 | 6.6* | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 44 | 44* | A | - |
| 雪崩能量 | 重復 EAR | 19.50 | 19.50 | mJ | - |
| 單脈沖 EAS | 365 | 365 | mJ | - | |
| 雪崩電流 | IAR | 11 | 11 | A | - |
| 峰值二極管恢復 dv/dt | dv/dt | 4.5 | 4.5 | V/ns | - |
| 總功耗 PD | TC=25℃ | 194.5 | 40.2 | W | - |
| 25℃以上降額系數 | 1.55 | 0.32 | W/℃ | - | |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ | - |
| 焊接溫度 (1/8" 引腳距外殼5秒) | TL | 300 | 300 | ℃ | - |
| 柵源ESD耐壓 (HBM) | VESD(G-S) | 2500 | 2500 | V | C=100pF, R=1.5kΩ |
| 熱特性 (TJ=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | TO-220 (KNP6140S) | TO-220F (KNF6140S) | 單位 |
| 結到殼熱阻 | RθJC | 0.65 | 3.15 | ℃/W |
| 殼到散熱器熱阻 (典型值) | RθJS | 0.5 | - | ℃/W |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| 電氣特性 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 400 | - | - | V |
| 零柵壓漏電流 | IDSS | VDS=400V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=320V, TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 柵體漏電流 | 正向 IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | - | 1 | nA |
| 反向 IGSS | VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -1 | nA | |
| 擊穿電壓溫度系數 | ΔBVDSS/ΔTJ | ID=250μA, 參考25℃ | - | 0.4 | - | V/℃ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 4.0 | - | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=5A | - | 530 | 640 | mΩ |
| 正向跨導 | gFS | VDS=40V, ID=5A | - | 8 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 980 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 140 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 2.6 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=200V, ID=11A, RG=20Ω | - | 33.5 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 31.5 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 83 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 56 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=320V, ID=11A, VGS=10V | - | 15.7 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 4.6 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 4.5 | - | nC | |
| 漏源二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, ISD=11A | - | - | 1.4 | V |
| 連續漏源電流 | IS | - | - | - | 11 | A |
| 脈沖漏源電流 | ISM | - | - | - | 44 | A |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IS=11A, dIF/dt=100A/μs | - | 430 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 3.8 | - | μC | |
| 訂購信息 | ||
|---|---|---|
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
| KNF6140S | TO-220F | KIA |
| KNP6140S | TO-220 | KIA |
| 引腳定義 (TO-220 / TO-220F) | ||
|---|---|---|
| 引腳號 | 功能 | 說明 |
| 1 | Gate (柵極) | 控制MOSFET開關狀態的控制端 |
| 2 | Drain (漏極) | 功率回路高壓輸入端 |
| 3 | Source (源極) | 功率回路低壓輸出端 |
應用場景：開關電源、開關變換器、電磁閥驅動、電機驅動、繼電器驅動等高壓高速功率開關應用。
產品特性：低柵極電荷(典型15.7nC)、高抗雪崩能力、快速開關、dv/dt性能優化、100%雪崩測試。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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