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KIA7115A 貼片 MOS 管 -150V20A 原裝現貨

信息來源:本站 日期:2026-05-09 

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KIA7115A 貼片 MOS 管 -150V20A 原裝現貨

KIA7115A

應用場景

電機驅動、BLDC 無刷電機、開關電源二次側整流、負載開關、電池保護板、主板供電、LED 驅動、工控模塊、汽車電子輔助電路

KIA7115A (KPD7115A) 核心參數總覽
型號 KIA7115A / KPD7115A 通道類型 P溝道增強型功率MOSFET
封裝形式 TO-252 (DPAK) 品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
漏源電壓 VDS -150V 連續漏極電流 ID -20A @ TC=25℃
導通電阻 RDS(on) 153mΩ (典型值) @ VGS=-10V, ID=-10A 柵極電荷 Qg 30nC (典型值) @ VDS=-50V, VGS=-10V

KIA7115A 產品信息
型號 KIA7115A / KPD7115A 類型 P溝道增強型MOSFET
封裝 TO-252 (DPAK) 品牌 KIA
漏源電壓 VDS -150V 連續電流 ID -20A
導通電阻 RDS(on) 153mΩ(典型) 工作溫度 -55℃ ~ +150℃

核心電氣參數
參數 符號 測試條件 參數值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS ID=-250μA -150 V
柵極閾值電壓 VGS(th) ID=-250μA -2.0 ~ -4.0 V
靜態導通電阻 RDS(on) VGS=-10V, ID=-10A 153(典型)/200(最大)
總柵極電荷 Qg VGS=-10V 30 nC
單脈沖雪崩能量 EAS - 30.2 mJ

KIA7115A / KPD7115A

KIA7115A

P 溝道大電流:-150V/-20A,滿足大功率負電壓驅動

超低內阻:153mΩ 典型值,發熱小、效率高

貼片 TO-252:體積小、易貼裝、適合高密度 PCB

快速開關:低柵極電荷 30nC,高頻電路更穩定

高可靠性:100% 雪崩測試,工業級 - 55~150℃寬溫

完美替代:直接兼容國際品牌型號,無需改板

性價比高:原裝 KIA,性能對標國際品牌,成本更優


可直接替代競品型號
品牌 型號
英飛凌 IRL40SC228、IPD150P204
安森美 FQP17P15、NTD20P15
意法 STP20P15LF
威世 SI7115DP、SI7115DN
仙童 FDD20P15
國產通用 AP20P15、HY20P15、WSD20P15
產品特點 應用領域
? P溝道 -150V/-20A 大電流
? 超低內阻 低損耗 低發熱
? TO-252 貼片易貼裝
? 快速開關 低柵極電荷
? 100%雪崩測試 高可靠
? 寬溫工業級 穩定性強
? 完美替代國際品牌型號
? BLDC無刷直流電機驅動
? 開關電源二次側同步整流
? 電池保護板 / 負載開關
? 主板/顯卡供電模塊
? LED驅動電源
? 工業控制 / 汽車電子



產品特點 典型應用場景
? 先進高密度溝槽工藝
? 低導通電阻,降低傳導損耗
? 低柵極電荷,實現快速開關
? 低熱阻設計,散熱性能優異
? 100%雪崩測試,可靠性高
? 100%漏源電壓測試,品質穩定
? 主板/顯卡核心供電 (MB/VGA Vcore)
? SMPS二次側同步整流
? POL(點負載)電源應用
? BLDC無刷直流電機驅動
? 電池保護電路、負載開關
引腳配置 (TO-252封裝)
引腳號 功能 說明
1 Gate (柵極) 控制MOSFET開關狀態的控制端
2 Drain (漏極) 功率回路高壓端(P溝道中為電源正極端)
3 Source (源極) 功率回路低壓端(P溝道中為負載/地端)
訂購信息
型號 封裝 品牌
KPD7115A TO-252 (DPAK) KIA
絕對最大額定值 (TC=25℃)
參數名稱 符號 額定值 單位 備注
漏源電壓 VDS -150 V -
柵源電壓 VGS ±20 V -
連續漏極電流 (VGS@-10V) TC=25℃ -20 A -
TC=100℃ -12 A -
脈沖漏極電流 IDM -60 A -
總功耗 TC=25℃ 104 W -
TC=100℃ 42 W -
雪崩能量 (單脈沖) EAS 30.2 mJ -
雪崩電流 IAS -11 A -
工作/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ +150 -
熱特性 (典型值)
參數名稱 符號 典型值 單位
結到環境熱阻 RθJA 20 ℃/W
結到殼熱阻 RθJC 1.4 ℃/W

電氣特性 (TJ=25℃)
參數名稱 符號 測試條件 Min Typ Max 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=-250μA -150 - - V
漏源導通電阻 RDS(on) VGS=-10V, ID=-10A - 153 200
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250μA -2.0 - -4.0 V
零柵壓漏電流 IDSS VDS=-150V, VGS=0V, TJ=25℃ - - -1 μA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
輸入電容 Ciss VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz - 2109 - pF
輸出電容 Coss - 515 - pF
反向傳輸電容 Crss - 410 - pF
總柵極電荷 Qg VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A - 30 - nC
柵源電荷 Qgs - 6 - nC
柵漏電荷 Qgd - 8.1 - nC
開通延遲時間 Td(on) VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A - 28 - ns
上升時間 Tr - 30 - ns
關斷延遲時間 Td(off) - 230 - ns
下降時間 Tf - 120 - ns
連續源極電流 IS VG=VD=0V, 強制電流 - - -20 A
漏源二極管正向電壓 VSD VGS=0V, ISD=-5A, TJ=25℃ - - -1.2 V
反向恢復時間 trr IF=-5A, dI/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 34 - ns
反向恢復電荷 Qrr - 32 - nC

聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KIA7115A

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