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替代 Infineon 100V MOSFET，KIA KCX017N10N 參數(shù)不虛標(biāo)

信息來源：本站　日期：2026-05-19　

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替代 Infineon 100V MOSFET，KIA KCX017N10N 參數(shù)不虛標(biāo)

TO-263/TOLL 雙封裝，成本降 20%

KIA KCX017N10N N溝道功率MOSFET參數(shù)表

KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N）

一、產(chǎn)品概述

項(xiàng)目 說明
產(chǎn)品型號 KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N）
封裝類型 TO-263 / TOLL 兩種封裝可選
核心技術(shù) 采用Geener先進(jìn)MOS工藝技術(shù)
關(guān)鍵優(yōu)勢 極低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異FOM值、JEDEC認(rèn)證
測試認(rèn)證 100% DVDS測試、100%雪崩測試、RoHS/無鹵
典型應(yīng)用 電機(jī)控制/電池管理/UPS不間斷電源

二、絕對最大額定值（Ta=25℃）

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)值 單位
漏源電壓 VDS 100 V
連續(xù)漏極電流(Tc=25℃) ID 259 A
連續(xù)漏極電流(Ta=25℃) ID 28 A
連續(xù)漏極電流(Tc=100℃) ID 164 A
脈沖漏極電流(Tc=25℃) ID(pulse) 1036 A
單脈沖雪崩能量 EAS 1365 mJ
柵源電壓 VGS ±20 V
耗散功率(Tc=25℃) Ptot 250 W
工作/存儲結(jié)溫 TJ, Tstg -55~+150 ℃

三、熱阻參數(shù)

參數(shù)名稱 符號 最大值 單位
結(jié)-殼熱阻 RthJC 0.5 ℃/W
結(jié)-環(huán)境熱阻(最小焊盤) RthJA 40 ℃/W

四、靜態(tài)電氣特性（Tj=25℃）

參數(shù)名稱 符號 條件 參數(shù)范圍 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA Min:100 V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA 2.2~3.8(典型3) V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS=100V, VGS=0V Max:1 uA
柵源漏電流 IGSS VGSGS=±20V, VDDS=0V Max:±100 nA
導(dǎo)通電阻 RDS(on) VGS=10V, ID=100A(TO-263) 典型1.6, 最大2.0 mΩ
VGS=10V, ID=100A(TOLL) 典型1.4, 最大1.7 mΩ
跨導(dǎo) gfs VDS=5V, ID=100A 典型238 S

五、動態(tài)電氣特性（Tj=25℃）

參數(shù)名稱 符號 條件 典型值 單位
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz 10120 pF
輸出電容 Coss 1360 pF
反向傳輸電容 Crss 50 pF
柵極總電荷 QG VGS=10V, VDS=50V, ID=50A 176 nC
柵源電荷 QGS 47 nC
柵漏電荷 QGD 54 nC
開通延遲時間 td(on) VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=4.7Ω 85 ns
上升時間 tr 137 ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) 92 ns
下降時間 tf 98 ns
柵極電阻 RG VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz 1.2 Ω

六、體二極管特性（Tj=25℃）

參數(shù)名稱 符號 條件 參數(shù)范圍 單位
體二極管正向壓降 VSD VGS=0V, ISD=50A 典型0.9, 最大1.2 V
體二極管反向恢復(fù)時間 trr IF=20A, dI/dt=100A/μs 典型79 ns
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr 典型180 nC

七、封裝與訂購信息

型號后綴 絲印 封裝 包裝 數(shù)量
KCB017N10N KCB017N10N TO-263 卷帶包裝 1000pcs/卷
KCT017N10N KCT017N10N TOLL 卷帶包裝 2000pcs/卷

KIA KCX017N10N / KCT017N10N 100V 大電流MOSFET

一、產(chǎn)品宣傳概述

宣傳亮點(diǎn) 文案說明（≤35字/行）
超低導(dǎo)通電阻 TO?263典型1.6mΩ、TOLL典型1.4mΩ，損耗更低
超大電流能力 Tc=25℃連續(xù)259A，脈沖1036A，功率密度高
先進(jìn)工藝技術(shù) Geener先進(jìn)MOS工藝，F(xiàn)OM優(yōu)異，能效更優(yōu)
高可靠認(rèn)證 100% UIS/雪崩測試，RoHS無鹵，JEDEC認(rèn)證
雙封裝兼容 TO?263（KCB）/TOLL（KCT），適配不同散熱需求
典型應(yīng)用場景 電機(jī)控制、BMS、UPS、儲能、工業(yè)電源優(yōu)選

二、核心參數(shù)總覽（KCX017N10N / KCT017N10N）

參數(shù) 符號 TO?263（KCX/KCB） TOLL（KCT） 單位
漏源電壓 VDS 100 100 V
連續(xù)漏極電流（Tc=25℃） ID 259 259 A
導(dǎo)通電阻（VGS=10V） RDS(on) 1.6（typ）/2.0（max） 1.4（typ）/1.7（max） mΩ
柵極總電荷 QG 176 176 nC
單脈沖雪崩能量 EAS 1365 1365 mJ
工作結(jié)溫 TJ ?55~+150 ?55~+150 ℃

三、競品對比（同100V/250A級）

KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N）

型號 封裝 VDS ID（Tc） RDS(on)@10V 特點(diǎn)
KIA KCX017N10N TO?263 100V 259A 1.6mΩ（typ） 低阻大電流，性價比高
KIA KCT017N10N TOLL 100V 259A 1.4mΩ（typ） 更低阻，散熱更優(yōu)
Infineon IPTC019N10NM5 TOLL 100V 238A 1.9mΩ（typ） 國際品牌，電流略低
Renesas RBA250N10CHPF TO?263 100V 250A 2.4mΩ（max） 車規(guī)級，電阻偏高
飛虹 FHS250N1F2A TO?263 100V 250A 2.5mΩ（typ） 國產(chǎn)替代，電阻偏高
FMC01H250LL TOLL 100V 250A 2.3mΩ（typ） TOLL國產(chǎn)，電阻偏高

四、絕對最大額定值（Ta=25℃）

參數(shù) 符號 數(shù)值 單位
漏源電壓 VDS 100 V
連續(xù)漏極電流（Ta=25℃） ID 28 A
連續(xù)漏極電流（Tc=100℃） ID 164 A
脈沖漏極電流 ID(pulse) 1036 A
柵源電壓 VGS ±20 V
耗散功率（Tc=25℃） Ptot 250 W

五、靜態(tài)電氣特性（Tj=25℃）

參數(shù) 符號 測試條件 典型/最大 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA Min 100 V
柵極閾值電壓 VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA 2.2~3.8（typ3） V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS=100V,VGS=0V Max 1 μA

六、封裝與訂購信息

型號 絲印 封裝 包裝 數(shù)量
KCB017N10N KCB017N10N TO?263 卷帶 1000pcs/卷
KCT017N10N KCT017N10N TOLL 卷帶 2000pcs/卷

聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KCX017N10N（KCB017N10N/KCT017N10N）

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