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KNM62150A TO-247 11A/1500V MOSFET 國產替代優選

信息來源:本站 日期:2026-05-20 

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KNM62150A TO-247 11A/1500V MOSFET 國產替代優選

解決進口交期慢、發熱高,高壓電源專用

?? 產品基礎信息

KNM62150A

項目 詳情
產品型號 KNM62150A(62150A系列)
產品類型 N-Channel MOSFET(N溝道功率場效應管)
封裝形式 TO-247(直插式功率封裝)
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心規格 11A/1500V,Rds(on)=2.4Ω(典型值)

? 產品核心特性

特性項 說明
合規標準 RoHS Compliant(符合環保標準)
導通電阻 Rds(on)=2.4Ω(典型值)@VGS=10V
開關損耗 低柵極電荷設計,降低開關損耗
體二極管 快恢復體二極管,抑制反向尖峰

?? 典型應用場景

應用領域 說明
高壓電源 工業級高壓電源模塊、大功率電源
電容放電 脈沖電源、電容放電電路
脈沖電路 高頻脈沖開關、高壓脈沖電路

?? 產品概述

項目 參數
產品型號 KNM62150A
結構類型 N溝道功率MOSFET
封裝形式 TO?247(直插)
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心規格 1500V / 11A / Rds(on)=2.4Ω

? 核心優勢

優勢點 說明
低導通電阻 典型2.4Ω,降低導通損耗
低柵極電荷 開關損耗小,效率更高
快恢復體二極管 抑制反向尖峰,可靠性強
高雪崩耐量 EAS=350mJ,抗沖擊能力強
環保合規 RoHS compliant

?? 應用場景

領域 用途
高壓工業電源 大功率高壓電源模塊
電容放電電路 脈沖電源、儲能放電
高壓脈沖電路 高頻脈沖開關、發生器

?? 引腳定義

引腳號 功能
1 Gate(柵極)
2 Drain(漏極)
3 Source(源極)

?? 絕對最大額定值

參數 符號 數值 單位
漏源電壓 VDSS 1500 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續漏極電流 ID 11 A
脈沖漏極電流 IDM 44 A
單脈沖雪崩能量 EAS 350 mJ
功耗 PD 312 W
工作結溫 TJ -55~150

?? 電氣特性

參數 符號 條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 1500 V
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=5.5A 2.4 Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.5~4.5 V
輸入電容 Ciss VGS=0V,VDS=25V 3876 pF
總柵極電荷 Qg VDD=750V,ID=11A 83.2 nC

??產品平替對標

KNM62150A

型號 品牌 Vds Id Rds(on) 封裝
KNM62150A KIA 1500V 11A 2.4Ω TO?247
IXTH12N150 Littelfuse 1500V 12A 2.2Ω TO?247AD
WMJ11N150D1 國產 1500V 11A TO?247
STW9N150 ST 1500V 9A TO?247

?? 引腳定義說明(TO-247封裝)

引腳號 功能定義
1 Gate(柵極)
2 Drain(漏極)
3 Source(源極)

?? 絕對最大額定值(Tc=25℃)

參數項 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 1500 V
柵源電壓 VGSS ±30 V
連續漏極電流 ID 11 A
脈沖漏極電流@VGS=10V IDM 44 A
單脈沖雪崩能量 EAS 350 mJ
功耗@25℃ PD 312 W
功耗降額系數 - 2.5 W/℃
焊接溫度(1.6mm/10s) TL 300
存儲/工作結溫 TJ,TSTG -55~150

??? 熱特性參數

參數項 符號 額定值 單位
結-殼熱阻 RθJC 0.4 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA 50 ℃/W

?? 電氣特性參數(Tj=25℃)

參數項 符號 測試條件 典型值/范圍 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 1500(Min) V
漏源漏電流 IDSS VDS=1500V, VGS=0V ≤1(Max) uA
漏源漏電流@125℃ IDSS VDS=1200V, Tc=125℃ ≤500(Max) uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100(Max) nA
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=5.5A 2.4(Typ)/≤3.2(Max) Ω
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.5~4.5 V
柵極電阻 Rg f=1MHz, Bias=0V 1.19(Typ) Ω
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 3876(Typ) pF
反向傳輸電容 Crss 同上條件 170(Typ) pF
輸出電容 Coss 同上條件 195(Typ) pF
總柵極電荷 Qg VDD=750V, ID=11A, VGS=0~10V 83.2(Typ) nC
柵源電荷 Qgs 同上條件 21.6(Typ) nC
柵漏(米勒)電荷 Qgd 同上條件 25.4(Typ) nC
開通延遲時間 td(ON) VDD=750V, ID=11A, RG=25Ω 62(Typ) ns
上升時間 tr 同上條件 188(Typ) ns
關斷延遲時間 td(OFF) 同上條件 120(Typ) ns
下降時間 tf 同上條件 158(Typ) ns
連續源極電流 ISD 體二極管電流 11(Typ) A
脈沖源極電流 ISM 體二極管脈沖電流 44(Max) A
二極管正向壓降 VSD IS=11A, VGS=0V ≤1.5(Max) V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IF=11A, diF/dt=100A/μs 449(Typ) ns
反向恢復電荷 Qrr 同上條件 3.58(Typ) nC

?? 測試電路說明

測試項目 電路類型
二極管恢復測試 帶電感負載的二極管恢復測試電路
開關特性測試 帶負載電阻的開關測試電路
柵極電荷測試 帶輔助電容的柵極電荷測試電路
雪崩特性測試 無鉗位電感開關測試電路


聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

KNM62150A

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