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KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 國產替代優選

信息來源:本站 日期:2026-05-19 

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KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 國產替代優選

解決進口交期慢、發熱高,工業電源 / 逆變器專用

產品基礎信息

項目 詳情
產品型號 KNH3730A(3730A系列)
產品類型 N-Channel MOSFET(N溝道功率場效應管)
封裝形式 TO-3P(直插式功率封裝)
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心規格 50A/300V,Rds(on)=70mΩ(典型值)

 產品核心特性

特性項 說明
工藝技術 自研全新平面工藝(Planar Technology)
導通電阻 Rds(on)=70mΩ(典型值)@VGS=10V
開關損耗 低柵極電荷設計,降低開關損耗
體二極管 快恢復體二極管,抑制反向尖峰

產品基礎信息

項目 詳情
產品型號 KNH3730A
封裝形式 TO-3P(直插功率封裝)
產品類型 N溝道功率MOSFET
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心規格 50A/300V,Rds(on)≤88mΩ

? 核心特性

特性 說明
導通電阻 Rds(on)≤88mΩ@VGS=10V
雪崩能量 EAS=3044mJ(單脈沖)
體二極管 快恢復,抑制反向尖峰
工作溫度 ?55℃~+150℃(寬溫)
功耗 305W@25℃(高功率)

?? 典型應用場景

應用領域 說明
工業開關電源 大功率SMPS、電源模塊
UPS逆變器 DC?AC逆變、不間斷電源
電機驅動 工業電機、BLDC無刷電機
車載電源 DC?DC轉換器、快充電源
國產替代 替代TK50J30D/IXFH50N30Q3

?? 絕對最大額定值

參數 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 300 V
柵源電壓 VGSS ±20 V
連續漏極電流 ID 50 A
脈沖漏極電流 IDM 200 A
功耗 PD 305 W
工作結溫 TJ ?55~150

?? 電氣特性參數

參數 符號 測試條件 典型值 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 300(Min) V
漏源漏電流 IDSS VDS=300V,VGS=0V ≤1 μA
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=25A 70(Typ)
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
輸入電容 Ciss VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 5108 pF
反向傳輸電容 Crss 同上 275 pF
輸出電容 Coss 同上 500 pF
總柵極電荷 Qg VDD=150V,ID=25A 220 nC
反向恢復時間 trr IF=25A,di/dt=100A/μs 516 ns

熱特性參數

參數 符號 典型值 單位
結?殼熱阻 RθJC 0.41 ℃/W
結?環境熱阻 RθJA 50 ℃/W

可平替代對照表

型號 品牌 封裝 規格 替代關系
KNH3730A KIA TO?3P 50A/300V 國產優選
TK50J30D Toshiba TO?3P 50A/300V 直接替代
IXFH50N30Q3 IXYS TO?247AD 50A/300V 引腳兼容
IRFZ48N Infineon TO?247 50A/300V 參數接近

?? 典型應用場景

應用領域 說明
DC-DC轉換器 工業級直流電源模塊、車載DC-DC
UPS逆變器 不間斷電源DC-AC逆變電路
SMPS電源 開關模式電源、大功率適配器
電機控制 工業電機驅動、BLDC無刷電機控制

?? 引腳定義說明(TO-3P封裝)

引腳號 功能定義
1 Gate(柵極)
2 Drain(漏極)
3 Source(源極)

絕對最大額定值(Tc=25℃)

參數項 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 300 V
柵源電壓 VGSS ±20 V
連續漏極電流@25℃ ID 50 A
連續漏極電流@100℃ ID 31 A
脈沖漏極電流@VGS=10V IDM 200 A
單脈沖雪崩能量 EAS 3044 mJ
二極管恢復dv/dt dv/dt 5.0 V/ns
功耗@25℃ PD 305 W
功耗降額系數 - 2.5 W/℃
存儲/工作結溫 TJ,TSTG -55~150

熱特性參數

參數項 符號 額定值 單位
結-殼熱阻 RθJC 0.41 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA 50 ℃/W

電氣特性參數(Tc=25℃)

參數項 符號 測試條件 典型值/范圍 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 300(Min) V
漏源漏電流 IDSS VDS=300V, VGS=0V ≤1(Max) uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100(Max) nA
導通電阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=25A 70(Typ)/≤88(Max)
柵極閾值電壓 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.0~4.0 V
正向跨導 gfs VDS=15V, ID=25A 18(Typ) S
輸入電容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 5108(Typ) pF
反向傳輸電容 Crss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 275(Typ) pF
輸出電容 Coss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 500(Typ) pF
總柵極電荷 Qg VDD=150V, ID=25A, VGS=0~10V 220(Typ) nC
柵源電荷 Qgs 同上條件 16(Typ) nC
柵漏(米勒)電荷 Qgd 同上條件 128(Typ) nC
開通延遲時間 td(ON) VDD=150V, ID=25A, RG=1.2Ω 25(Typ) ns
上升時間 trise 同上條件 50(Typ) ns
關斷延遲時間 td(OFF) 同上條件 100(Typ) ns
下降時間 tfall 同上條件 35(Typ) ns
連續源極電流 ISD 體二極管電流 50(Typ) A
脈沖源極電流 ISM 體二極管脈沖電流 200(Max) A
二極管正向壓降 VSD IS=25A, VGS=0V ≤1.5(Max) V
反向恢復時間 trr VGS=0V, IF=25A, diF/dt=100A/μs 516(Typ) ns
反向恢復電荷 Qrr 同上條件 4.16(Typ) uC

 測試電路說明

測試項目 電路類型
開關特性測試 帶負載電阻的開關測試電路
柵極電荷測試 帶輔助電容的柵極電荷測試電路
雪崩特性測試 無鉗位電感開關測試電路
二極管恢復測試 帶電感負載的二極管恢復測試電路


聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術群,也可以加這個qq)

聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

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