草莓丝瓜向日黄瓜榴莲污色多多苹果|落荒而逃1985意大利|姓一乱一口一交A片文|国产女主播喷水视频在线观看|黄桃av免费一区二区三区|国产模特一区二区三区|草比比过程

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

KCY1804A 40V/240A N 溝道 MOSFET DFN5*6 封裝

信息來源:本站 日期:2026-05-28 

分享到:

KCY1804A 40V/240A MOSFET 進(jìn)口型號直接替代

超低內(nèi)阻 1.05mΩ 國產(chǎn)替代進(jìn)口 工業(yè)級高可靠

KCY1804A

KIA1804A (KCY1804A) MOSFET 參數(shù)規(guī)格

KIA1804A (KCY1804A) 40V N溝道MOSFET

240A 快速開關(guān)功率MOSFET | 封裝:DFN5*6

1. 產(chǎn)品特性

  • 采用先進(jìn)SGT工藝技術(shù)
  • RDS(ON) = 1.05mΩ(典型值)@VGS=10V
  • 極低的柵極電荷
  • 提供環(huán)保無鉛版本
  • 優(yōu)異的抗dV/dt干擾能力
  • 100% ΔVds測試驗證
  • 100% UIS雪崩能量測試驗證

一、產(chǎn)品KIA1804A (KCY1804A) 40V N溝道MOSFET核心介紹

KCY1804A 40V N溝道功率MOSFET,DFN5*6超薄封裝

240A大電流,超低內(nèi)阻1.05mΩ,工業(yè)級高可靠性

先進(jìn)SGT工藝,快速開關(guān),高效節(jié)能,無鉛環(huán)保

100%雪崩/耐壓測試,適用于電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器

完美替代進(jìn)口/國產(chǎn)同規(guī)格型號,性價比之王

二、核心競品型號對照表

1. 國內(nèi)直接平替(40V/DFN5*6/N溝道)

KCY1804A

品牌 競品型號 封裝 電壓 電流
華羿微 HY1804A DFN5*6 40V 240A
新潔能 NCEP1804A DFN5*6 40V 240A
韋爾 WSD1804A DFN5*6 40V 240A
銳駿 RU1804A DFN5*6 40V 240A
士蘭微 SL1804A DFN5*6 40V 240A
富滿 FM1804A DFN5*6 40V 240A

2. 國際品牌競品

品牌 競品型號 封裝 電壓 電流
英飛凌 IRLHS6044 DFN5*6 40V 240A
安森美 NTMFS4C1804 DFN5*6 40V 240A
威世 SiS1804A DFN5*6 40V 240A
美信 MAX1804A DFN5*6 40V 240A

三、KCY1804A 核心優(yōu)勢

優(yōu)勢維度 產(chǎn)品亮點
封裝優(yōu)勢 DFN5*6小型化,節(jié)省PCB空間,散熱優(yōu)異
導(dǎo)通內(nèi)阻 1.05mΩ超低內(nèi)阻,降低損耗,提升效率
電流能力 240A連續(xù)電流,960A脈沖,大負(fù)載適配
開關(guān)性能 低柵極電荷,快速開關(guān),高頻場景適配
可靠性 100%UIS雪崩測試,-55~150℃寬溫工作
兼容性 Pin to Pin兼容所有競品,直接替換
成本 國產(chǎn)高性價比,穩(wěn)定供貨,交期優(yōu)勢

四、目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域

開關(guān)電源 服務(wù)器電源、適配器、快充電源
電機(jī)驅(qū)動 無刷電機(jī)、工業(yè)電機(jī)、電動工具
儲能設(shè)備 光伏逆變器、儲能變流器、BMS
汽車電子 車載電源、車燈驅(qū)動、車身控制
消費(fèi)電子 快充、充電寶、電動玩具、小家電

五、產(chǎn)品核心參數(shù)速覽

參數(shù) 規(guī)格 單位
型號 KCY1804A -
封裝 DFN5*6 -
類型 N溝道MOSFET -
漏源電壓 40 V
連續(xù)電流 240 A
導(dǎo)通電阻 1.05
工作溫度 -55~150

2. 引腳配置

引腳號 功能定義
4 Gate(柵極)
5,6,7,8 Drain(漏極)
1,2,3 Source(源極)

3. 訂購信息

型號 封裝 品牌
KCY1804A DFN5*6 KIA (KMOS)

4. 絕對最大額定值 (TC=25℃)

參數(shù)名稱 符號 額定值 單位
漏源極電壓 (VGS=0V) VDS 40 V
柵源極電壓 (VDS=0V) VGS ±20 V
連續(xù)漏極電流 ID TC=25℃ 240 A
TC=100℃ 154 A
脈沖漏極電流 IDM 960 A
總功耗 (TC=25℃) PD 143 W
單脈沖雪崩能量 EAS 900 mJ
結(jié)溫/存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 ~ 150

5. 熱特性參數(shù)

參數(shù)名稱 符號 最大值 單位
結(jié)到殼熱阻 RθJC 1.05 ℃/W

6. 電氣特性 (TA=25℃)

參數(shù)名稱 符號 測試條件 最小 典型 最大 單位
漏源擊穿電壓 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 40 - - V
漏源漏電流 IDSS VDS=40V, VGS=0V - - 1 uA
柵源漏電流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
柵極閾值電壓 VGS(th) VGS=VDS, ID=250uA 1.0 1.8 2.5 V
導(dǎo)通電阻 RDS(ON) RDS(ON) VGS=10V, ID=30A - 1.05 1.25
VGS=4.5V, ID=20A - 1.45 1.9
柵極電阻 Rg VDS=0V, f=300KHz - 3.0 - Ω
輸入電容 Ciss VDS=20V, VGS=0V, f=300KHz - 6210 - pF
輸出電容 Coss - 3750 - pF
反向傳輸電容 Crss - 90 - pF
開通延遲時間 Td(on) VDS=20V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A - 20 - ns
上升時間 Tr - 85 - ns
關(guān)斷延遲時間 Td(off) - 90 - ns
下降時間 Tf - 98 - ns
總柵極電荷 Qg VDS=20V, VGS=10V, ID=30A - 95 - nC
柵源電荷 Qgs - 18 - nC
柵漏電荷 Qgd - 11 - nC
體二極管正向電流 ISD - - - 240 A
二極管正向壓降 VSD VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃ - - 1.2 V
反向恢復(fù)時間 trr TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs - 66 - nS
反向恢復(fù)電荷 Qrr - 54 - nC

注:1. 數(shù)據(jù)基于1英寸2 FR-4板、2盎司銅層表面安裝測試;2. 脈沖測試條件:脈寬≤300us,占空比≤2%;3. 雪崩測試條件:VDD=24V, VGS=10V, L=0.5mH, IAS=60A;4. 功耗受175℃結(jié)溫限制;5. 體二極管電流理論上等于ID/IDM,實際應(yīng)用需受總功耗限制。

7. 典型特性說明

  • 輸出特性:不同VGS下的ID-VDS曲線
  • 轉(zhuǎn)移特性:ID隨VGS變化的導(dǎo)通特性
  • 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)隨ID和溫度變化特性
  • 最大連續(xù)電流:ID隨殼溫TC變化曲線
  • 柵極電荷特性:Qg、Qgs、Qgd測試波形
  • 電容特性:Ciss/Coss/Crss隨VDS變化曲線
  • 安全工作區(qū):SOA曲線(直流/脈沖模式)
  • 體二極管特性:正向?qū)ㄅc反向恢復(fù)特性
  • 瞬態(tài)熱阻抗:結(jié)到殼熱阻隨脈沖持續(xù)時間變化曲線

8. 測試電路與波形

  • 柵極電荷測試電路及波形(Qg、Qgs、Qgd
  • 阻性負(fù)載開關(guān)測試電路及波形(td(on)/tr/td(off)/tf
  • 無鉗位感性開關(guān)(UIS)測試電路及雪崩能量計算方式


聯(lián)系方式:鄒先生

座機(jī):0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950(微信同號)

QQ:2880195519(技術(shù)群,也可以加這個qq)

聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KCY1804A

搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號

關(guān)注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)支持


s