KNP2804C/KNB2804C 40V/150A MOSFET 直接替代
信息來源：本站 日期：2026-05-28
KNP2804C 40V/150A 3.0mΩ低內阻MOSFET
TO-220/TO-263封裝 | KIA半導體
KNP2804C/KNB2804C 40V N溝道功率MOSFET
TO-220/TO-263雙封裝，150A大電流輸出
3.0mΩ超低內阻，高效低損耗，穩定性更強
先進溝槽工藝，優異FOM值，開關速度快
寬溫工作-55~150℃，工業級高可靠
適用于電機驅動、電源、BMS、UPS等領域
Pin to Pin兼容主流型號，直接替代無需改板
| 參數項 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|
| 產品型號 | KNP2804C / KNB2804C | - |
| 封裝類型 | TO-220 / TO-263 | - |
| 漏源電壓 | 40 | V |
| 連續電流 | 150 | A |
| 導通電阻 | 3.0 | mΩ |
| 工作溫度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 工藝類型 | 先進溝槽MOS工藝 | - |
| 品牌 | 平替型號 | 封裝 | 電壓 | 電流 |
|---|---|---|---|---|
| 華羿微 | HY2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 新潔能 | NCE2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 韋爾 | WSD2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 銳駿 | RU2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 士蘭微 | SL2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 富滿 | FM2804C | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 電壓 | 電流 |
|---|---|---|---|---|
| 英飛凌 | IRL2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 安森美 | NTB2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 威世 | SiR2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 仙童 | FDB2804 | TO-220/TO-263 | 40V | 150A |
| 優勢類別 | 產品亮點 |
|---|---|
| 低損耗性能 | 3.0mΩ超低內阻，發熱小，轉換效率高 |
| 大電流能力 | 150A連續電流，320A脈沖，重載穩定 |
| 雙封裝適配 | TO-220/TO-263可選，滿足不同安裝需求 |
| 高可靠性 | 100%雪崩測試，寬溫域，工業級品質 |
| 開關性能 | 低柵極電荷，快速開關，高頻場景適配 |
| 替代優勢 | 完全Pin to Pin兼容，直接替換進口/國產 |
| 供貨保障 | 國產原廠直供，交期穩定，成本優勢明顯 |
| 電機驅動 | 無刷電機、電動工具、工業電機控制 |
| 電源系統 | 開關電源、UPS、大功率適配器、逆變器 |
| 電池管理 | BMS保護板、儲能電源、動力電池系統 |
| 工業控制 | 工控模塊、大功率驅動、自動化設備 |
| 汽車電子 | 車載電源、車燈驅動、車身控制系統 |
| 客戶痛點 | KNP2804C/KNB2804C解決方案 |
|---|---|
| 進口芯片價格高、交期長 | 國產高性價比，穩定供貨，交期短 |
| 大電流場景發熱嚴重 | 超低內阻設計，大幅降低導通損耗 |
| 設備效率低、功耗大 | 優異FOM值，高效節能，提升整機效率 |
| 惡劣環境可靠性差 | 寬溫工作，高雪崩能量，穩定性強 |
| 封裝選擇單一 | TO-220/TO-263雙封裝，靈活適配 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 4（TO-220封裝） | Drain（漏極，散熱加強） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2804C | TO-220 | KIA |
| KNB2804C | TO-263 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極電壓 | VDSS | 40 | V |
| 柵源極電壓 | VGSS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 ID | TC=25℃（硅片限制） | 150 | A |
| TC=100℃（硅片限制） | 90 | A | |
| TC=25℃（封裝限制） | 80 | A | |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A |
| 雪崩能量 (L=0.5mH,RG=25Ω) | EAS | 225 | mJ |
| 總功耗 (TC=25℃) | PD | 230 | W |
| 結溫/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到殼熱阻 | RθJC | 0.54 | ℃/W |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 105 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 靜態特性 | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 零柵壓漏源漏電流 | IDSS | VDS=36V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 3.0 | 4.0 | mΩ |
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V, ID=40A | - | 126 | - | S |
| 動態特性 | ||||||
| 柵極電阻 | RG | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5900 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 690 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 640 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDS=20V, ID=40A, VGS=10V, RG=3Ω | - | 28 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 68 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 110 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 32 | - | ns | |
| 柵極電荷特性 | ||||||
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=32V, ID=40A, VGS=10V | - | 120 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 18 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 34 | - | nC | |
| 二極管特性 | ||||||
| 二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A | - | 0.85 | 1.3 | V |
| 漏極連續正向電流 | IS | - | - | - | 150 | A |
| 反向恢復時間 | trr | IF=40A, di/dt=100A/μs | - | 40 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 41 | - | nC | |
注：以上參數基于KIA KNX2804C系列（KNP2804C/KNB2804C）官方數據手冊整理，所有數據均在標準測試條件下測得。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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