KPY6115A/KPD6115A -150V/-10A P溝道MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-28
300mΩ低內阻 | 雙封裝可選 | 國產替代進口型號首選
KPY6115A(DFN5*6) / KPD6115A(TO-252) | KIA半導體
KPY6115A/KPD6115A P溝道功率MOSFET
-150V耐壓，-10A連續大電流輸出
300mΩ低內阻，低損耗高效率
DFN5*6 / TO-252雙封裝可選
高密度溝槽工藝，開關速度快
100%雪崩/耐壓測試，高可靠性
適用于主板供電、電機驅動、開關電源
Pin to Pin兼容主流型號，直接替換
| 參數項 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|
| 產品型號 | KPY6115A / KPD6115A | - |
| 封裝類型 | DFN5*6 / TO-252 | - |
| 溝道類型 | P溝道 | - |
| 漏源電壓 | -150 | V |
| 連續電流 | -10 | A |
| 導通電阻 | 300 | mΩ |
| 工作溫度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 電壓 | 電流 |
|---|---|---|---|---|
| 華羿微 | HY6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 新潔能 | NCE6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 韋爾 | WSD6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 銳駿 | RU6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 士蘭微 | SL6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 富滿 | FM6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 電壓 | 電流 |
|---|---|---|---|---|
| 安森美 | NTJD6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 威世 | Si6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 英飛凌 | IRL6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 仙童 | FDD6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 優勢類別 | 產品亮點 |
|---|---|
| 低內阻性能 | 300mΩ低內阻，發熱小，損耗低 |
| 雙封裝適配 | DFN5*6小型化 / TO-252貼片通用 |
| 高耐壓特性 | -150V高耐壓，適合高壓反向應用 |
| 開關速度快 | 低柵極電荷，快速開關，高頻適配 |
| 高可靠性 | 寬溫工作，雪崩測試，穩定性強 |
| 替代兼容性 | Pin to Pin兼容，直接替換不改板 |
| 供貨優勢 | 國產原廠直供，交期穩，成本低 |
| 主板/顯卡供電 | CPU/GPU核心供電、電源管理模塊 |
| 開關電源 | 二次側同步整流、適配器、充電器 |
| 電機驅動 | BLDC無刷電機、小型電機控制 |
| 負載點電源 | POL電源、模塊電源、DC-DC轉換 |
| 消費電子 | 家電、顯示器、工控設備供電 |
| 客戶痛點 | KPY6115A/KPD6115A解決方案 |
|---|---|
| 進口型號價格高、交期不穩定 | 國產高性價比，交期穩定，成本更低 |
| P溝道耐壓不足，容易炸管 | -150V高耐壓，安全余量充足 |
| 設備發熱大、效率低 | 低內阻設計，降低損耗，提升效率 |
| 封裝選擇少，安裝受限 | 雙封裝可選，滿足小型化與通用需求 |
| 惡劣環境可靠性差 | 寬溫工作，100%測試，品質穩定 |
| 封裝 | 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|---|
| DFN5*6 (KPY6115A) | 4 | Gate（柵極） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏極） | |
| 1,2,3 | Source（源極） | |
| TO-252 (KPD6115A) | 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） | |
| 3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KPY6115A | DFN5*6 | KIA |
| KPD6115A | TO-252 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極電壓 | VDS | -150 | V |
| 柵源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 ID (VGS=-10V) | TC=25℃ | -10 | A |
| TC=100℃ | -6.4 | A | |
| 脈沖漏極電流 | IDM | -40 | A |
| 總功耗 PD | TC=25℃ | 89 | W |
| TC=100℃ | 35 | W | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 30.2 | mJ |
| 雪崩電流 | IAS | -11 | A |
| 結溫/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到環境熱阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 結到殼熱阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 靜態特性 | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -150 | - | - | V |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-5A | - | 300 | 320 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=-250μA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=-150V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨導 | gfs | VDS=-5V, ID=-3A | - | 11 | - | S |
| 動態特性 | ||||||
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.7 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 513 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 408 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 30 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 130 | - | ns | |
| 柵極電荷特性 | ||||||
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A | - | 35 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 8.5 | - | nC | |
| 二極管特性 | ||||||
| 源極連續正向電流 | IS | VG=VD=0V | - | - | -10 | A |
| 二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, IS=-5A, TJ=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=-5A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 34 | - | nS |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 32 | - | nC | |
注：以上參數基于KIA 6115A系列官方數據手冊整理，所有數據均在標準測試條件下測得。脈沖測試條件：脈寬≤300us，占空比≤2%。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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