【KIA 原廠】KNY/KND/KNB/KNP2904A MOSFET 全系列

DFN5×6/TO-252/TO-263/TO-220 全封裝 | 低內阻低損耗 | 100% 雪崩測試 | 原廠直供

KNY2904A/ KND2904A/ KND2904A/KNP2904A

KNY2904A, KND2904A, KNB2904A, KNP2904A, 2904A MOSFET, 40V 130A MOSFET

可易亞 KIA2904A 130A/40V N溝道MOSFET 規格參數
一、產品核心特性
低導通電阻	DFN5*6封裝：Rds(on)=2.0mΩ(典型)@VGS=10V TO-252/263/220封裝：Rds(on)=2.5mΩ(典型)@VGS=10V
其他特性	低Crss反向傳輸電容、快速開關特性 100%雪崩測試、優化的dv/dt抗干擾能力
二、典型應用場景
應用領域	PWM電源電路、負載開關、電源管理模塊 PD快充、工業控制、新能源汽車電子
三、封裝與型號對應
型號	封裝形式
KNY2904A	DFN5*6
KND2904A	TO-252
KNB2904A	TO-263
KNP2904A	TO-220
四、引腳定義
DFN5*6引腳	4腳=Gate；5/6/7/8腳=Drain；1/2/3腳=Source
TO-252/263/220引腳	1腳=Gate；2腳=Drain；3腳=Source
五、絕對最大額定值(Tc=25℃)
漏源電壓VDS	40V
柵源電壓VGS	±20V
連續漏極電流ID(Tc=25℃)	130A
連續漏極電流ID(Tc=100℃)	84A
脈沖漏極電流IDM	400A
單脈沖雪崩能量EAS	250mJ
功耗PD(Tc=25℃)	DFN5*6:54W；TO-252:130W；TO-263/220:328W
存儲/工作結溫	-55℃~+150℃
六、熱特性參數
結-殼熱阻RθJC	DFN5*6:2.3℃/W；TO-252:0.96℃/W；TO-263/220:0.38℃/W
七、電氣特性參數(Tc=25℃)
漏源擊穿電壓BVdss	40V(最小值，VGS=0V,ID=250μA)
漏源漏電流Idss	≤1μA(最大值，VDS=40V,VGS=0V)
柵源漏電流Igss	±100nA(最大值，VGS=±20V,VDS=0V)
柵極閾值電壓VGS(th)	1.0~2.3V(典型1.5V，VDS=VGS,ID=250μA)
導通電阻Rds(on)	DFN5*6封裝： 2.0~2.7mΩ(典型2.0mΩ，VGS=10V,ID=20A) 2.6~3.5mΩ(典型2.6mΩ，VGS=4.5V,ID=15A) 其他封裝： 2.5~3.2mΩ(典型2.5mΩ，VGS=10V,ID=20A) 3.1~4.2mΩ(典型3.1mΩ，VGS=4.5V,ID=15A)
柵極串聯電阻RG	1.3Ω(典型值，f=1MHz)
輸入電容Ciss	6260pF(典型值，VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz)
反向傳輸電容Crss	570pF(典型值，同上條件)
輸出電容Coss	580pF(典型值，同上條件)
開通延遲時間td(on)	18ns(典型值，VGS=10V,VDS=20V,RL=3Ω,ID=10A)
上升時間tr	20ns(典型值，同上條件)
關斷延遲時間td(off)	50ns(典型值，同上條件)
下降時間tf	16ns(典型值，同上條件)
總柵極電荷Qg	135nC(典型值，VDS=15V,ID=20A,VGS=10V)
柵源電荷Qgs	30nC(典型值，同上條件)
柵漏電荷Qgd	19nC(典型值，同上條件)
體二極管正向電流Is	130A(最大值)
體二極管脈沖電流Ism	400A(最大值)
體二極管正向壓降VSD	≤1.2V(最大值，IsD=20A,VGS=0V,TJ=25℃)
八、測試電路說明
柵極電荷測試電路	采用恒流源3mA驅動，通過雙管結構測量Qg/Qgs/Qgd電荷曲線
電阻負載開關測試	10V驅動信號，RL負載為0.5倍額定VDS，測量td(on)/tr/td(off)/tf參數
無鉗位電感開關測試	用于測量單脈沖雪崩能量EAS，公式：EAS=0.5×L×Ias2
體二極管恢復dv/dt測試	通過RG控制dv/dt，測量反向恢復電流IRM，驗證抗干擾能力

一、產品型號與封裝對應
型號	KNY2904A	KND2904A	KNB2904A / KNP2904A
封裝	DFN5×6	TO-252	TO-263 / TO-220
規格	N溝道 · 40V · 130A · 超低內阻MOSFET
二、同規格主流產品替代型號對照表
品牌	型號	封裝	電氣規格
國產替代	IRL3803	全封裝	30V 140A 內阻偏高
國產替代	AON6512	DFN5×6	40V 120A 內阻接近
國產替代	AP4904	全封裝	40V 120A 通用款
國產替代	CS4904	全封裝	40V 120A 常規內阻
國產替代	HY4904	全封裝	40V 120A 通用型
國產替代	IRLMS3803	DFN5×6	30V 160A 耐壓偏低
國產替代	SI7842	DFN5×6	40V 135A 價格偏高
國產替代	NTMFS4904	DFN5×6	40V 120A 進口型號
國產替代	IPL40R130	全封裝	40V 130A 對標型號
三、核心參數優勢對比
參數項	我司產品	行業競品	我方優勢
耐壓VDS	40V	多數30V	耐壓更高更安全
連續電流	130A	100-120A	大電流帶載更強
導通電阻	2.0mΩ起	≥2.8mΩ	內阻更低發熱更小
開關速度	快速開關	常規速度	損耗低效率更高
雪崩能力	100%測試	部分不測試	可靠性更強
供貨穩定	長期現貨	交期不穩定	保障量產
四、官方KNY2904A/ KND2904A/ KND2904A/KNP2904A產品介紹（全型號）
型號	官方KNY2904A/ KND2904A/ KND2904A/KNP2904A產品介紹
KNY2904A	DFN5×6超薄封裝 40V130A超低內阻MOSFET 小體積大電流適合高密度電源/快充/模塊
KND2904A	TO-252貼片MOS 40V130A低內阻高可靠性適合電源管理負載開關工業控制車規級場景
KNB2904A	TO-263大封裝MOS 40V130A超強散熱適合大功率電源逆變器電機驅動大電流設備
KNP2904A	TO-220直插MOS 40V130A高穩定長壽命工業電源工控設備安防電源通用大功率場景
系列通用	40V130A全系列MOSFET 國產替代優選內阻低電流大開關快雪崩強價格優交期穩
五、典型應用場景
PD快充電源、開關電源、負載開關、電機驅動、逆變器
工業控制、汽車電子、安防電源、儲能模塊、電池保護板