【KIA 原廠】KNB/KNP2706A 60V/150A MOSFET

TO-263/TO-220 雙封裝｜2.8mΩ 低內阻｜150A 大電流｜高雪崩｜原廠直供

KNB2706A, KNP2706A, 2706A MOSFET, 60V 150A MOSFET, N溝道MOSFET

KNB2706A (TO-263封裝) / KNP2706A (TO-220封裝)

KIA 2706A 60V/150A N溝道MOSFET 規格參數
一、產品核心特性
低導通電阻	Rds(on)=2.8mΩ(典型值)@VGS=10V
性能優勢	高魯棒性、快速開關、100%雪崩測試
其他特性	優化的dv/dt抗干擾能力，可靠性強
二、典型應用場景
應用領域	PWM電路、電源管理、負載開關
三、封裝型號與引腳定義
型號/封裝	KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220)
引腳1	Gate（柵極）
引腳2	Drain（漏極）
引腳3	Source（源極）
四、絕對最大額定值(Tc=25℃)
漏源電壓VDS	60V
柵源電壓VGS	±20V
連續漏極電流ID(Tc=25℃)	150A
連續漏極電流ID(Tc=100℃)	98A
脈沖漏極電流IDM	450A
單脈沖雪崩能量EAS	552mJ
重復雪崩能量EAR	240mJ
體二極管恢復dv/dt	4.5V/ns
功耗PD(Tc=25℃)	TO-263:238W / TO-220:320W
功耗降額系數(>25℃)	TO-220:2.56W/℃
存儲/工作結溫范圍	-55℃~+150℃
五、熱特性參數
結-殼熱阻RθJC	TO-263:0.53℃/W / TO-220:0.39℃/W
結-環境熱阻RθJA	TO-220:62.5℃/W(典型值)
六、電氣特性參數(Tc=25℃)
漏源擊穿電壓BVdss	60V(最小值，VGS=0V,IDS=250μA)
擊穿電壓溫度系數	0.06V/℃(典型值)
漏源漏電流IDSS	≤1μA(最大值，VDS=60V,VGS=0V)
柵源漏電流IGSS	±100nA(最大值，VGS=±20V,VDS=0V)
柵極閾值電壓VGS(th)	2.2~3.6V(最小值/最大值，VDS=VGS,IDS=250μA)
導通電阻Rds(on)	2.8~3.6mΩ(典型2.8mΩ，VGS=10V,ID=20A)
輸入電容Ciss	8850pF(典型值，VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz)
輸出電容Coss	610pF(典型值，同上條件)
反向傳輸電容Crss	730pF(典型值，同上條件)
開通延遲時間td(on)	20ns(典型值，VDD=30V,RG=25Ω,ID=50A)
上升時間tr	38ns(典型值，同上條件)
關斷延遲時間td(off)	49ns(典型值，同上條件)
下降時間tf	30ns(典型值，同上條件)
總柵極電荷Qg(10V)	200nC(典型值，VDS=30V,ID=50A)
柵源電荷Qgs	35nC(典型值，同上條件)
柵漏電荷Qgd	72nC(典型值，同上條件)
體二極管正向電流IS	≤150A(最大值)
體二極管脈沖電流ISM	≤450A(最大值)
體二極管正向壓降VSD	≤1.2V(最大值，ISD=50A,VGS=0V)
反向恢復時間trr	≤62ns(最大值，VGS=0V,IS=50A,dl/dt=100A/μs)
反向恢復電荷Qrr	≤105nC(最大值，同上條件)
七、典型特性曲線說明
輸出特性曲線	TO-263/TO-220封裝下ID與VDS關系，體現低內阻
轉移特性曲線	ID與VGS關系，體現器件開啟特性
體二極管特性曲線	正向電流與壓降關系，體現續流性能
Rds(on)特性曲線	Rds(on)隨ID、VGS變化趨勢，體現穩定性
電容特性曲線	Ciss/Coss/Crss隨VDS變化，體現開關特性
柵極電荷特性曲線	VGS隨Qg變化，體現驅動特性
電流降額曲線	ID隨結溫變化，體現高溫性能
安全工作區(SOA)曲線	不同封裝下ID與VDS安全工作范圍
瞬態熱阻抗曲線	不同占空比下熱阻抗特性，體現散熱性能

一、KNB2706A/KNP2706A 產品基礎信息
產品型號	KNB2706A	KNP2706A	核心規格
封裝形式	TO-263 貼片	TO-220 直插	60V 150A N溝道MOS
導通電阻	2.8mΩ@10V	2.8mΩ@10V	低內阻大電流
二、同規格主流KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220)型號對照表
品牌	競品型號	封裝	對標參數
AOS萬代	AON6522	DFN/TO-252	60V 120A 通用款
英飛凌	IRL3703	TO-263/220	60V 140A 內阻偏高
安森美	NTB60N06	TO-263/220	60V 120A 標準型
國產替代	AP2706	全封裝	60V 120A 常規內阻
國產替代	CS2706	全封裝	60V 130A 通用型
國產替代	HY2706	全封裝	60V 130A 標準款
三、核心參數優勢對比
參數項目	KNB2706A	KNP2706A	行業競品水平
耐壓VDS	60V	60V	60V 通用標準
連續電流ID	150A	150A	100A-140A
導通電阻	2.8mΩ	2.8mΩ	≥3.2mΩ
雪崩能量EAS	552mJ	552mJ	≤350mJ
開關速度	快速開關	快速開關	常規開關速度
可靠性	100%雪崩測試	100%雪崩測試	部分批次測試
四、官網官方KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220)介紹
型號	官方宣傳文案
KNB2706A	TO-263貼片MOS 60V150A低內阻高散熱適配電動機驅動、大功率電源、逆變器設備
KNP2706A	TO-220直插MOS 60V150A高穩定長壽命工業電源、工控設備、大功率儲能系統專用
系列賣點	2.8mΩ超低內阻 150A大電流 552mJ高雪崩發熱低、損耗小、抗干擾強、壽命更持久
適用場景	大功率電源、電機驅動、逆變器、工業控制光伏儲能、電池保護板、汽車電子、DC-DC轉換
五、客戶痛點解決方案
客戶痛點	我司產品解決方案
大功率帶載能力弱	150A大電流滿足大功率設備需求
內阻高導致發熱嚴重	2.8mΩ超低內阻溫升更低更安全
進口貨期長價格昂貴	國產原廠現貨穩定性價比極高
設備易炸管可靠性差	高雪崩能量 100%全測壽命更長
安裝場景受限適配難	貼片/直插雙封裝滿足不同結構設計