原廠現(xiàn)貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術(shù)生...原廠現(xiàn)貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術(shù)生產(chǎn)，極低導通電阻RDS(導通) 7.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的...
TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插...TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插腳編。 TO-220-3是通用的編碼，指具有TO-220本體和3引腳的零件。相同的封裝系列中...
SOT-227小型晶體管封裝，是一種體積介于單管和模塊之間的內(nèi)絕緣功率半導體封裝...SOT-227小型晶體管封裝，是一種體積介于單管和模塊之間的內(nèi)絕緣功率半導體封裝，采用M4螺絲法蘭底板安裝和4個引出端口，常用于封裝IGBT、二極管和MOSFET等器件。
原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進的平面...原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進的平面條形DMOS技術(shù)生產(chǎn)，極低導通電阻RDS(導通) 3.1mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損...
電源電壓大于穩(wěn)壓二極管D1電壓Vref+三極管導通電壓（0點幾伏）時，Q1導通，R4上...電源電壓大于穩(wěn)壓二極管D1電壓Vref+三極管導通電壓（0點幾伏）時，Q1導通，R4上端電壓為電源電壓減去三極管導通電壓。Q2是P-MOS，就不導通了；否則，Q1不導通，R4...
12V電壓經(jīng)10V穩(wěn)壓二極管時，因二極管正向壓降特性，兩端電壓被穩(wěn)定至10V，剩余...12V電壓經(jīng)10V穩(wěn)壓二極管時，因二極管正向壓降特性，兩端電壓被穩(wěn)定至10V，剩余2V壓差使MOS管柵極與源極間形成足夠驅(qū)動能力，促使MOS管導通。此過程實現(xiàn)將12V電壓穩(wěn)...
