KIA 半導體官方供應 KIA4603A，是 30V/7A N 溝道增強型 MOSFET，采用 SOP-8 封...KIA 半導體官方供應 KIA4603A，是 30V/7A N 溝道增強型 MOSFET，采用 SOP-8 封裝，典型導通電阻低至 14.5mΩ，超低柵極電荷，先進高密度溝槽工藝，優秀 CdV/dt 抗...
KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移降低性能；堅固的高壓...
KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流15A，導通電阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流15A，導通電阻RDS（ON）0.27Ω，低柵極電荷（典型值43nC），高堅固性、快速切換確保電路高效穩定，100%雪崩測試、改進...
KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流20A，導通電阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流20A，導通電阻RDS（ON）0.16Ω，低柵極電荷（典型值70nC），具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt功能增...
KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效...KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值52nC），最小化開關損耗，快速切換能力在電路中能夠迅速響...
KIA13N50H場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，導通電阻RDS（ON）0.4Ω，高效低...KIA13N50H場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，導通電阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值45nC），最小化開關損耗，具有快速切換能力、指定雪崩能量、...
