還在為 MOS 管發熱大、高頻損耗高發愁？KCB2920K 系列采用 SGT 溝槽工藝，Rds ...還在為 MOS 管發熱大、高頻損耗高發愁？KCB2920K 系列采用 SGT 溝槽工藝，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 規格，低柵極電荷，是高頻開關電源、同步整流的理想選...
還在為 MOS 管發熱大、效率低發愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低內阻設...還在為 MOS 管發熱大、效率低發愁？KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低內阻設計，500V/25A 規格，低損耗高效率，是開關電源、電機驅動的優選 ...
還在為 MOS 管發熱大、效率低發愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低內阻設計，-30V/5....還在為 MOS 管發熱大、效率低發愁？KIA9435 采用 50mΩ 超低內阻設計，-30V/5.3A 電流規格，SOP-8 封裝，低損耗高效率，是電源管理、負載開關的優選。
KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 溝道 MOSFET，DFN5×6 封裝，Rds (on) 低至 2....KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 溝道 MOSFET，DFN5×6 封裝，Rds (on) 低至 2.0mΩ，低損耗高效率，專為電源管理、快充、電機驅動設計，可直接替代 AO4403/SI4403...
KPE4403A2 雙P溝道MOSFET，-30V耐壓/-5A電流，SOP-8封裝，典型Rds(on)=42mΩ，...KPE4403A2 雙P溝道MOSFET，-30V耐壓/-5A電流，SOP-8封裝，典型Rds(on)=42mΩ，低柵極電荷、開關速度快，可直接替代AO4403/SI4403，適用于同步降壓、電源管理，現貨...
KND3080B N溝道MOSFET，30V耐壓80A大電流，TO-252封裝，典型Rds(on)僅4.1mΩ，...KND3080B N溝道MOSFET，30V耐壓80A大電流，TO-252封裝，典型Rds(on)僅4.1mΩ，低柵極電荷、開關速度快，可直接替代進口同規格型號，廣泛用于電源管理、負載開關、...
