在實際調試MOS管驅動電路時，如果大家用示波器測一下MOS管gate極的波形，就會發...在實際調試MOS管驅動電路時，如果大家用示波器測一下MOS管gate極的波形，就會發現MOS管每次打開時，其柵極波形會出現類似于正弦波的阻尼振蕩，這不僅使得MOS開關不...
MOS管3503 70A30V參數-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽...MOS管3503 70A30V參數-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽技術 低門電荷 高電流能力
1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通； 2.電路中D3作...1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通； 2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右，以保護Q1；
DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能（下圖），這些...DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能（下圖），這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負載。
下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應對MOSFET開通關斷過程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應對MOSFET開通關斷過程的影響。在圖10控制電路中，上管導通時，VDD通過Q1、Q4對電機進行勵磁；上管關斷時，電機通過Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開關瞬態過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指開關瞬態過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能發生振鈴，進而可能導致MOSFET損壞。
