dv/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導...dv/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短...
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該...雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關特性，還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復...
下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來實現上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動之后，輸...下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來實現上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動之后，輸出低電壓：
作為放大器，其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時強調對小信號...作為放大器，其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時強調對小信號的增益。本文介紹一個公式（未必完全通用，但一定滿足本文介紹的四種放大器）并加以...
導電溝道機理： 如果外部不加控制電壓就有導電溝道的是耗盡型。 如果需要外部...導電溝道機理： 如果外部不加控制電壓就有導電溝道的是耗盡型。 如果需要外部加控制電壓才有導電溝道的是增強型。
78L15穩壓管描述 KIA78L15是一種單片固定穩壓集成電路。它適用于應用要求電源...78L15穩壓管描述 KIA78L15是一種單片固定穩壓集成電路。它適用于應用要求電源電流高達100mA。
