KIA 原廠(chǎng) KNM62150A TO-247 MOSFET，11A/1500V，Rds (on)≤3.2Ω，雪崩能量 35...KIA 原廠(chǎng) KNM62150A TO-247 MOSFET，11A/1500V，Rds (on)≤3.2Ω，雪崩能量 350mJ，替代 IXTH12N150，交期穩(wěn)、成本優(yōu)，解決高壓電源擊穿痛點(diǎn)。
KIA 原廠(chǎng) KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044m...KIA 原廠(chǎng) KNH3730A TO-3P MOSFET，50A/300V，Rds (on)≤88mΩ，雪崩能量 3044mJ，替代 TK50J30D/IXFH50N30Q3，交期穩(wěn)、成本優(yōu)，解決電源浪涌擊穿痛點(diǎn)。
KIA原廠(chǎng)KND4390A/KNF4390A高壓MOSFET，900V/4A規(guī)格，兼容4N90系列，TO-252/TO-...KIA原廠(chǎng)KND4390A/KNF4390A高壓MOSFET，900V/4A規(guī)格，兼容4N90系列，TO-252/TO-220F雙封裝，低Rds(on)、快恢復(fù)二極管，解決電源發(fā)熱/EMI超標(biāo)痛點(diǎn)，國(guó)產(chǎn)替代首選
KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 溝道 MOSFET，TO-263/TOLL 雙封裝，1....KIA KCX017N10N/KCT017N10N 100V/259A N 溝道 MOSFET，TO-263/TOLL 雙封裝，1.4-1.6mΩ 超低 Rds (on)，解決大電流發(fā)熱、效率低痛點(diǎn)，適用于電機(jī)控制、BMS、UPS 等...
KNY3903A DFN5×6封裝30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，解決傳統(tǒng)MOS管發(fā)熱炸...KNY3903A DFN5×6封裝30V/85A MOSFET，Rds(on)低至4.0mΩ，解決傳統(tǒng)MOS管發(fā)熱炸機(jī)、空間不足、效率低問(wèn)題，適配BMS保護(hù)板、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充電源，國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)選。
KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)僅3.4mΩ，解決傳統(tǒng)MOS管發(fā)熱炸機(jī)...KCB040N10N TO-263 100V/172A MOSFET，Rds(on)僅3.4mΩ，解決傳統(tǒng)MOS管發(fā)熱炸機(jī)、電流不足問(wèn)題，適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、BMS保護(hù)板，國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)選。
